製品詳細
モデル番号: SPS15P12W1M4
支払いと送料の条件
コレクター流れ: |
100A |
コレクターのエミッターの電圧: |
1200V |
流動: |
100A |
ゲートエミッターチャージ: |
120nC |
ゲートエミッター抵抗: |
1.5Ω |
ゲートのエミッターの電圧: |
±20V |
モジュール重量: |
200g |
動作温度: |
-40°Cへの+150°C |
パッケージの種類: |
簡単なPIM |
逆の回復時間: |
50ns |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
20KHZ |
熱耐性: |
0.1°C/W |
電圧: |
1200V |
製品名: |
ドライバー IGBT モジュール,IGBT トランジスタ モジュール,単一の Igbt モジュール |
コレクター流れ: |
100A |
コレクターのエミッターの電圧: |
1200V |
流動: |
100A |
ゲートエミッターチャージ: |
120nC |
ゲートエミッター抵抗: |
1.5Ω |
ゲートのエミッターの電圧: |
±20V |
モジュール重量: |
200g |
動作温度: |
-40°Cへの+150°C |
パッケージの種類: |
簡単なPIM |
逆の回復時間: |
50ns |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
20KHZ |
熱耐性: |
0.1°C/W |
電圧: |
1200V |
製品名: |
ドライバー IGBT モジュール,IGBT トランジスタ モジュール,単一の Igbt モジュール |
固体電源DS-SPS15P12W1M4-S040600003
1200V 15A IGBT PIM モジュール
1200V 15A IGBT PIM
特徴:
□ 1200V トレンチ+フィールドストップ技術
□ フリーホイール ダイオード 速くて柔らかい リバース 回復
□ VCE (sat)陽性温度係数を持つ
□ 切り替え 損失 が 少なく
□ 短回路 の 耐久性
典型的な 応用:
□ セルボ 駆動
□ 変換機
□ インバーター
パッケージ
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
|
隔離試験電圧 |
VISOL | RMS,f = 50 Hz,t = 1 分 |
2.5 |
kV |
|||
|
内隔 |
(クラス1,IEC 61140) 基本隔熱 (1級,IEC 61140) |
アール2オー3 |
|||||
|
クリープ距離 |
クリープ | 熱シンクへの端末 | 11.5 |
mm |
|||
| クリープ | 端から端へ | 6.3 | |||||
|
免許 |
dクリア | 熱シンクへの端末 | 10.0 |
mm |
|||
| dクリア | 端から端へ | 5.0 | |||||
|
比較追跡指数 |
CTI |
>200 |
|||||
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
流れる誘導モジュール |
LsCE |
30 |
nH |
||||
|
モジュールのリード抵抗,端子 - チップ |
RCC+EE | TC について=25°C | 8.00 |
mΩ |
|||
| RAA+CC | 6.00 | ||||||
|
保存温度 |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
|||
|
クランプ毎のマウント力 |
F について |
20 |
50 |
N |
|||
|
体重 |
G |
23 |
g |
||||
IGBT/IGBT,インバーター
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
コレクター・エミッター 電圧 |
VCES | Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
|
ゲート・エミッター最大電圧 |
VGES |
±20 |
V |
||
|
ゲート・エミッター・トランジション・電圧 |
VGES | tp≤10μs,D=001 |
±30 |
V |
|
|
連続DCコレクター電流 |
私はC について | TC について=25°C | 20 |
A について |
|
| TC について=80°C | 15 | ||||
|
パルスのコレクター電流,tpはTで制限されるjmax |
ICパルス |
30 |
A について |
||
|
電力消耗 |
Ptot |
130 |
W |
||
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
コレクター・エミッター 飽和電圧 |
VCE (衛星) | 私はC について=15A,V遺伝子組み換え=15V | Tvj=25°C | 1.95 | 2.40 |
V |
|
| Tvj=125°C | 2.46 | ||||||
| Tvj=150°C | 2.54 | ||||||
|
ゲートスロージングル電圧 |
VGE (th) | VCE=V遺伝子組み換え私はC について=0.48mA |
5.1 |
5.7 |
6.3 |
V |
|
|
コレクター・エミッター切断電流 |
ICES | VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 100 | μA | ||
| Tvj=150°C | 5 | mA | |||||
|
ゲート・エミッター・リーキャージ・電流 |
IGES | VCE=0V,V遺伝子組み換え=±20V,Tvj=25°C |
-100ドル |
100 |
nA |
||
|
ゲートチャージ |
Q についてG | VCE=600V,IC について=15A,V遺伝子組み換え=±15V | 0.1 | μC | |||
|
入力容量 |
シエス | VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V,f =1MHz | 0.9 |
nF |
|||
|
リバース 転送 容量 |
クレス | 0.04 | |||||
|
内部ゲート抵抗 |
RGint | Tvj=25°C | 0 | オー | |||
|
起動遅延時間,インダクション負荷 |
起動しました | VCC=600V,IC について=15A RG=40Ω V遺伝子組み換え=±15V | Tvj=25°C | 46 | ns | ||
| Tvj=125°C | 42 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 44 | ns | |||||
|
上昇時間,インダクション負荷 |
tr | Tvj=25°C | 38 | ns | |||
| Tvj=125°C | 41 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 39 | ns | |||||
|
シャットオフの遅延時間,インダクション負荷 |
停止する | VCC=600V,IC について=15A RG=40Ω V遺伝子組み換え=±15V | Tvj=25°C | 215 | ns | ||
| Tvj=125°C | 249 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 259 | ns | |||||
|
落ちる時間,インダクション負荷 |
tf | Tvj=25°C | 196 | ns | |||
| Tvj=125°C | 221 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 203 | ns | |||||
|
パルス毎のオンエネルギー損失 |
エオン | VCC=600V,IC について=15A RG=40Ω V遺伝子組み換え=±15V | Tvj=25°C | 1.57 | mJ | ||
| Tvj=125°C | 2.12 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 2.25 | mJ | |||||
|
パルス毎のエネルギー損失をオフにする |
エーオフ | Tvj=25°C | 0.89 | mJ | |||
| Tvj=125°C | 1.07 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 1.16 | mJ | |||||
|
SCデータ |
ISC | V遺伝子組み換え≤15V,VCC=800V | tp≤10μs Tvj=150°C |
70 |
A について |
||
|
IGBT熱抵抗,接続ケース |
RthJC | 1.15 | K / W | ||||
|
動作温度 |
TJop | -40歳 | 150 | °C | |||
ディオード,インバーター
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
繰り返しの逆電圧 |
VRRM | Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
|
連続DC前向き電流 |
私はF について |
15 |
A について |
||
|
ダイオードパルス電流,tpはTで制限されるJmax |
IFパルス |
30 |
|||
|
私は2t値 |
私は2t | tp=10ms | Tvj=125°C |
136 |
A について2s |
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
前向きの電圧 |
VF について | 私はF について=15A,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 1.60 | 2.10 |
V |
|
| Tvj=125°C | 1.75 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.78 | ||||||
|
最大逆回帰電流 |
IRRM |
私はF について=15A dIF について/dt=-250A/μs (T)vj=150°C) VR=600V V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 13 |
A について |
||
| Tvj=125°C | 15 | ||||||
| Tvj=150°C | 17 | ||||||
|
逆回収手数料 |
QRR | Tvj=25°C | 1.87 |
μC |
|||
| Tvj=125°C | 3.33 | ||||||
| Tvj=150°C | 3.82 | ||||||
|
パルス毎の逆回復エネルギー損失 |
エレック | Tvj=25°C | 0.70 |
mJ |
|||
| Tvj=125°C | 1.28 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.45 | ||||||
|
ダイオード熱抵抗 接続ケース |
RthJCD |
1.90 |
K / W |
||||
|
動作温度 |
TJop |
-40歳 |
150 |
°C |
|||
ダイオード,矯正器
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
繰り返しの逆電圧 |
VRRM | Tvj=25°C |
1600 |
V |
|
| シップあたり最大RMS前電流 | IFRMSM | TC について=80°C |
16 |
A について |
|
|
直流器の出力時の最大RMS電流 |
IRMSM | TC について=80°C |
16 |
||
|
前向きの電流 |
IFSM | tp=10ms | Tvj=25°C |
190 |
|
|
I2t - 価値 |
私は2t | tp=10ms | Tvj=25°C |
181 |
A について2s |
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
前向きの電圧 |
VF について | 私はF について=15A | Tvj=25°C |
0.95 |
V |
||
|
逆電流 |
私はR | VR=1600V | Tvj=25°C |
5 |
μA |
||
|
ダイオード熱抵抗 接続ケース |
RthJCD |
1.50 |
K / W |
||||
|
動作温度 |
TJop |
-40歳 |
150 |
°C |
|||
IGBT,ブレーキホッパー/IGBT
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
コレクター・エミッター 電圧 |
VCES | Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
|
ゲート・エミッター最大電圧 |
VGES |
±20 |
V |
||
|
ゲート・エミッター・トランジション・電圧 |
VGES | tp≤10μs,D=001 |
±30 |
V |
|
|
連続DCコレクター電流 |
私はC について | TC について=80°C |
15 |
A について |
|
|
パルスのコレクター電流,tpはTで制限されるjmax |
ICパルス |
30 |
A について |
||
|
電力消耗 |
Ptot |
130 |
W |
||
IGBT,ブレーキホッパー/IGBT
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
コレクター・エミッター 飽和電圧 |
VCE (衛星) | 私はC について=15A,V遺伝子組み換え=15V | Tvj=25°C | 2.08 | 2.50 |
V |
|
| Tvj=125°C | 2.37 | ||||||
| Tvj=150°C | 2.45 | ||||||
|
ゲートスロージングル電圧 |
VGE (th) | VCE=V遺伝子組み換え私はC について=0.48mA |
5.1 |
5.7 |
6.3 |
V |
|
|
コレクター・エミッター切断電流 |
ICES | VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 100 | μA | ||
| Tvj=150°C | 5 | mA | |||||
|
ゲート・エミッター・リーキャージ・電流 |
IGES | VCE=0V,V遺伝子組み換え=±20V,Tvj=25°C |
-100ドル |
100 |
nA |
||
|
ゲートチャージ |
Q についてG | VCE=600V,IC について=15A,V遺伝子組み換え=±15V | 0.1 | μC | |||
|
入力容量 |
シエス | VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V,f =1MHz | 0.86 |
nF |
|||
|
リバース 転送 容量 |
クレス | 0.02 | |||||
|
内部ゲート抵抗 |
RGint | Tvj=25°C | 0 | オー | |||
|
起動遅延時間,インダクション負荷 |
起動しました | VCC=600V,IC について=15A RG=40Ω V遺伝子組み換え=±15V | Tvj=25°C | 51 | ns | ||
| Tvj=125°C | 47 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 40 | ns | |||||
|
上昇時間,インダクション負荷 |
tr | Tvj=25°C | 44 | ns | |||
| Tvj=125°C | 48 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 56 | ns | |||||
|
シャットオフの遅延時間,インダクション負荷 |
停止する | VCC=600V,IC について=15A RG=40Ω V遺伝子組み換え=±15V | Tvj=25°C | 216 | ns | ||
| Tvj=125°C | 254 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 262 | ns | |||||
|
落ちる時間,インダクション負荷 |
tf | Tvj=25°C | 194 | ns | |||
| Tvj=125°C | 213 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 219 | ns | |||||
|
パルス毎のオンエネルギー損失 |
エオン | VCC=600V,IC について=15A RG=40Ω V遺伝子組み換え=±15V | Tvj=25°C | 0.92 | mJ | ||
| Tvj=125°C | 1.21 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 1.31 | mJ | |||||
|
パルス毎のエネルギー損失をオフにする |
エーオフ | Tvj=25°C | 0.88 | mJ | |||
| Tvj=125°C | 1.11 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 1.15 | mJ | |||||
|
IGBT熱抵抗,接続ケース |
RthJC | 1.15 | K / W | ||||
|
動作温度 |
TJop | -40歳 | 150 | °C | |||
ダイオード,ブレーキヘリコプター
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
繰り返しの逆電圧 |
VRRM | Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
|
連続DC前向き電流 |
私はF について |
8 |
A について |
||
|
ダイオードパルス電流,tpはTで制限されるJmax |
IFパルス |
16 |
|||
|
私は2t値 |
私は2t | tp=10ms | Tvj=125°C |
25 |
A について2s |
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
前向きの電圧 |
VF について | 私はF について=8A,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 1.88 | 2.40 |
V |
|
| Tvj=125°C | 1.96 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.90 | ||||||
|
最大逆回帰電流 |
IRRM |
私はF について=8A dIF について/dt=-200A/μs (T)vj=150°C) VR=600V V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 6 |
A について |
||
| Tvj=125°C | 7 | ||||||
| Tvj=150°C | 8 | ||||||
|
逆回収手数料 |
QRR | Tvj=25°C | 0.68 |
μC |
|||
| Tvj=125°C | 1.22 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.32 | ||||||
|
パルス毎の逆回復エネルギー損失 |
エレック | Tvj=25°C | 0.27 |
mJ |
|||
| Tvj=125°C | 0.49 | ||||||
| Tvj=150°C | 0.53 | ||||||
|
ダイオード熱抵抗 接続ケース |
RthJCD |
1.90 |
K/W |
||||
|
動作温度 |
TJop |
-40歳 |
150 |
°C |
|||
NTC-サーミストール
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
定数抵抗 |
R25 | TC について=25°C |
5.00 |
kΩ |
|
|
B値 |
R25/50 |
3375 |
K |
||
IGBT IGBT
生産量 特徴 IGBT,インバーター (典型的な) 出力 特徴 IGBT,インバーター (典型的な)
私はC について= f (V)CE) IC について= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT IGBT
移転 特徴 IGBT,インバーター (典型的な) 切り替え 損失 IGBT インバーター (典型的な)
私はC について= f (V)遺伝子組み換え) E = f (RG)
VCE= 20VV遺伝子組み換え= ±15V,IC について= 15A,VCE= 600V
IGBT IGBTほらRBSOA)
切り替える 損失 IGBT インバーター(典型的な) 逆向き 偏見 安全 動作する 面積 IGBT,インバーター (RBSOA)
E = f (I)C について) IC について=f (V)CE)
V遺伝子組み換え= ±15V,RG= 40Ω, VCE= 600VV遺伝子組み換え= ±15V,Rゴフ= 40Ω,Tvj= 150°C
IGBT
臨時的な 熱力 阻力 IGBT,インバーター 前向き 特徴 について ディオード,インバーター (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) IF について= f (V)F について)
切り替える 損失 ダイオード,インバーター (典型的な) 切り替え 損失 ダイオード,インバーター (典型的な)
E についてレック= f (R)G) Eレック= f (I)F について)
私はF について= 15A,VCE= 600V RG= 40Ω,VCE= 600V
臨時的な 熱力 阻力 ダイオード,インバーター 前へ 特徴 について ダイオード,矯正器 (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) IF について= f (V)F について)
IGBT
生産量 特徴,ブレーキヘリコプター (典型) 前へ 特徴 について ダイオード,ブレーキヘリコプター (典型的な)
私はC について= f (V)CE) IF について= f (V)F について)
NTC-サーミストラ温度 特徴 (典型的な)
R = f (T)
"IGBT 15A 1200V"とは,電流15アンペアと電圧1200ボルトの電流を指定した隔離ゲート双極トランジスタを指します.このタイプのIGBTは,中程度の電力要求のあるアプリケーションに適しています.この装置を使用する際には適切な熱管理対策が必要である.特定の技術仕様と使用ガイドラインは,特定のアプリケーション要件に基づいて,製造者のデータシートで見つけることができます..
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
寸法 (mm)
mm
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