認証: |
セリウム、FCC、RoHS |
色: |
ブラック |
互換性: |
現代の車両と互換性 |
接続性: |
ワイヤレス |
サイズ: |
特定のモジュールによって異なります |
機能: |
車両内の様々なシステムを制御し監視する |
材料: |
プラスチック と 金属 |
動作温度: |
-40°Cへの85°C |
稼働電圧: |
12V |
タイプ: |
電子 |
保証: |
1 年 |
体重: |
特定のモジュールによって異なります |
認証: |
セリウム、FCC、RoHS |
色: |
ブラック |
互換性: |
現代の車両と互換性 |
接続性: |
ワイヤレス |
サイズ: |
特定のモジュールによって異なります |
機能: |
車両内の様々なシステムを制御し監視する |
材料: |
プラスチック と 金属 |
動作温度: |
-40°Cへの85°C |
稼働電圧: |
12V |
タイプ: |
電子 |
保証: |
1 年 |
体重: |
特定のモジュールによって異なります |
固体パワーDS-SPS820F08HDM4-S04090002
750V 820A IGBT 満タン 橋 モジュール
750V 820A IGBT
特徴:
□ 750V トレンチ+フィールドストップ技術
□ フリーホイール ダイオード 速くて柔らかい リバース 回復
□ VCE (sat)陽性温度係数を持つ
□ 切り替え 損失 が 少なく
□ 短回路 の 耐久性
典型的な 応用:
□ モーター ドライブ
□ ハイブリッド 電動車
□ 自動車用
□ 商業用農業用車
パッケージ
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
隔離試験電圧 |
VISOL | RMS,f = 0 Hz,t = 1 s |
4.2 |
kV |
|||
モジュールベースプレートの材料 |
クー |
||||||
内隔 |
(クラス1,IEC 61140) 基本隔熱 (1級,IEC 61140) |
アール2オー3 |
|||||
クリープ距離 |
クリープ | 熱シンクへの端末 | 9.0 |
mm |
|||
クリープ | 端から端へ | 9.0 | |||||
免許 |
dクリア | 熱シンクへの端末 | 4.5 |
mm |
|||
dクリア | 端から端へ | 4.5 | |||||
比較追跡指数 |
CTI |
>200 |
|||||
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
ミン | タイプする | マックス | |||||
流れる誘導モジュール |
LsCE |
10 |
nH | ||||
モジュールのリード抵抗,端子 - チップ |
RCC+EE | TC について=25°C |
0.75 |
mΩ |
|||
保存温度 |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
|||
モジュールのマウント用のマウントトルク |
M4 | ヒートシンクのベースプレート |
1.8 |
2.2 |
Nm |
||
M3 | フレームへのPCB |
0.45 |
0.55 |
Nm |
|||
体重 |
G |
725 |
g |
IGBT
最大 格付け 価値観
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
コレクター・エミッター 電圧 |
VCES | Tvj=25°C |
750 |
V |
|
ゲート・エミッター最大電圧 |
VGES |
±20 |
V |
||
ゲート・エミッター・トランジション・電圧 |
VGES | tp≤10μs,D=001 |
±30 |
V |
|
導入されたコレクター電流 |
ICN |
820 |
A について |
||
連続DCコレクター電流 |
私はC について | TF について= 80°C,Tvjmax= 175°C |
450 |
A について |
|
パルスのコレクター電流,tpはTで制限されるjmax |
ICパルス |
1640 |
A について |
||
電力消耗 |
Ptot | TF について=75°C |
769 |
W |
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
ミン | タイプする | マックス | |||||
コレクター・エミッター 飽和電圧 |
VCE (衛星) | 私はC について=450A,V遺伝子組み換え=15V | Tvj=25°C | 1.20 | 1.40 |
V |
|
Tvj=125°C | 1.24 | ||||||
Tvj=150°C | 1.27 | ||||||
私はC について=820A,V遺伝子組み換え=15V | Tvj=25°C | 1.40 | 1.60 | ||||
Tvj=125°C | 1.55 | ||||||
Tvj=150°C | 1.60 | ||||||
ゲートスロージングル電圧 |
VGE (th) | VCE=V遺伝子組み換え私はC について=9.6mA |
5.1 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
コレクター・エミッター切断電流 |
ICES | VCE=750V,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 100 | μA | ||
Tvj=150°C | 5 | mA | |||||
ゲート・エミッター・リーキャージ・電流 |
IGES | VCE=0V,V遺伝子組み換え=±20V,Tvj=25°C |
-200ドル |
200 |
nA |
||
ゲートチャージ |
Q についてG | VCE=400V,IC について=450A,V遺伝子組み換え=-8/+15V |
1.6 |
μC |
|||
内部ゲート抵抗 |
RGint |
0.8 |
オー |
||||
入力容量 |
シエス | VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V,f =100kHz |
42.4 |
nF |
|||
出力容量 |
コース |
3.1 |
|||||
リバース 転送 容量 |
クレス |
0.8 |
|||||
起動遅延時間,インダクション負荷 |
起動しました |
VCC=400V,IC について=450A Rゴン=2.5Ω V遺伝子組み換え=-8/+15V |
Tvj=25°C | 90 | ns | ||
Tvj=125°C | 92 | ns | |||||
Tvj=150°C | 96 | ns | |||||
上昇時間,インダクション負荷 |
tr | Tvj=25°C | 64 | ns | |||
Tvj=125°C | 68 | ns | |||||
Tvj=150°C | 70 | ns | |||||
シャットオフの遅延時間,インダクション負荷 |
停止する |
VCC=400V,IC について=450A Rゴフ=5.1Ω V遺伝子組み換え=-8/+15V |
Tvj=25°C | 520 | ns | ||
Tvj=125°C | 580 | ns | |||||
Tvj=150°C | 590 | ns | |||||
落ちる時間,インダクション負荷 |
tf | Tvj=25°C | 200 | ns | |||
Tvj=125°C | 310 | ns | |||||
Tvj=150°C | 320 | ns | |||||
パルス毎のオンエネルギー損失 |
エオン | VCC=400V,IC について=450A RG=2.5Ω,Rゴフ=5.1Ω V遺伝子組み換え=-8/+15V | Tvj=25°C | 15.0 | mJ | ||
Tvj=125°C | 18.0 | mJ | |||||
Tvj=150°C | 20.0 | mJ | |||||
パルス毎のエネルギー損失をオフにする |
エーオフ | Tvj=25°C | 33.5 | mJ | |||
Tvj=125°C | 41.0 | mJ | |||||
Tvj=150°C | 43.0 | mJ |
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
ミン | タイプする | マックス | |||||
SCデータ |
ISC | V遺伝子組み換え≤15V,VCC=400V | tp≤3μs Tvj=150°C |
5400 |
A について |
||
IGBT熱抵抗,ジャンクション冷却液 |
RthJF |
0.13 |
K / W |
||||
動作温度 |
TJop |
-40歳 |
175 |
°C |
ダイオード
最大 格付け 価値観
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
繰り返しの逆電圧 |
VRRM | Tvj=25°C |
750 |
V |
|
実行された前向き電流 |
ICN |
820 |
A について |
||
連続DC前向き電流 |
私はF について | TF について= 80°C,Tvjmax= 175°C |
450 |
A について |
|
ダイオードパルス電流,tpはTで制限されるJmax |
IFパルス |
1640 |
特徴 価値観
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
ミン | タイプする | マックス | |||||
前向きの電圧 |
VF について | 私はF について=450A,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 1.20 | 1.60 |
V |
|
Tvj=125°C | 1.16 | ||||||
Tvj=150°C | 1.14 | ||||||
私はF について=820A,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 1.42 | 1.80 | ||||
Tvj=125°C | 1.43 | ||||||
Tvj=150°C | 1.44 | ||||||
逆回復時間 |
trr |
私はF について=450A dIF について/dt=-6700A/μs (T)vj=150°C) VR=400V V遺伝子組み換え=8V |
Tvj=25°C | 122 |
ns |
||
Tvj=125°C | 160 | ||||||
Tvj=150°C | 172 | ||||||
最大逆回帰電流 |
IRRM | Tvj=25°C | 295 |
A について |
|||
Tvj=125°C | 360 | ||||||
Tvj=150°C | 375 | ||||||
逆回収手数料 |
QRR | Tvj=25°C | 28.5 |
μC |
|||
Tvj=125°C | 40.5 | ||||||
Tvj=150°C | 43.5 | ||||||
パルス毎の逆回復エネルギー損失 |
エレック | Tvj=25°C | 6.2 |
mJ |
|||
Tvj=125°C | 11.7 | ||||||
Tvj=150°C | 13.2 | ||||||
ダイオード熱抵抗 結合冷却液 |
RthJFD |
0.25 |
K / W |
||||
動作温度 |
TJop |
-40歳 |
175 |
°C |
NTC-サーミストール
特徴 価値観
ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
定数抵抗 |
R25 | TC について=25°C |
5.00 |
kΩ |
|
B値 |
R25/50 |
3375 |
K |
生産量 特徴 (典型) 出力 特徴 (典型)
私はC について= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
移転 特徴 (典型) 切り替える損失 IGBT (典型)
私はC について= f (V)遺伝子組み換え) VCE= 20V E = f (R)G)
V遺伝子組み換え= -8/+15V,IC について= 450A,VCE= 400V
IGBT(RBSOA)
切り替え損失 IGBT (典型的な) 逆 偏見 安全 動作する 面積 (RBSOA)
E = f (I)C について) IC について=f (V)CE)
V遺伝子組み換え= -8/+15V,Rゴン= 2.5Ω,Rゴフ= 5.1Ω, VCE= 400VV遺伝子組み換え= -8/+15V,Rゴフ= 5.1Ω,Tvj= 150°C
典型的な 容量 と 機能 コレクター・エミッター 電圧 ゲート充電 (典型)
C = f (V)CE) V遺伝子組み換え= f (Q)G)
f = 100 kHz,V遺伝子組み換え= 0V IC について= 450A,VCE= 400V
IGBT
IGBT 臨時的な 熱力 インペダンス 前へ 特徴 について ダイオード (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) IF について= f (V)F について)
切り替え損失 ダイオード (典型) 切り替え損失 ダイオード (典型)
E についてレック= f (R)G) Eレック= f (I)F について)
私はF について= 450A,VCE= 400V RG= 2.5Ω,VCE= 400V
ダイオード 臨時熱 インペデンス NTC サーミスター温度 特徴 (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) R = f (T)
インバーターのIGBTモジュールは,隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) と他のコンポーネントを含むコンパクトな組成物である.IGBT は,モータードライブなどのデバイスで直流 (DC) を交流電流 (AC) に切り替えて変換する上で重要な役割を果たしますこのモジュールは統合を簡素化し,効率性と信頼性のために適切な冷却が不可欠です.
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
寸法 (mm)
mm
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