製品詳細
モデル番号: SPS12MA12E4S
支払いと送料の条件
現在の格付け: |
40A |
ゲート充満: |
120nC |
ゲートの境界の電圧: |
4V |
隔離電圧: |
2500V |
無鉛の: |
はい |
マウントスタイル: |
穴を抜ける |
オン州の抵抗: |
0.015Ω |
パッケージの種類: |
TO-247 |
逆の回復時間: |
25ns |
ローズ・コンパイル: |
そうだ |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
100kHz |
温度範囲: |
-40°Cから175°C |
定位電圧: |
1200V |
現在の格付け: |
40A |
ゲート充満: |
120nC |
ゲートの境界の電圧: |
4V |
隔離電圧: |
2500V |
無鉛の: |
はい |
マウントスタイル: |
穴を抜ける |
オン州の抵抗: |
0.015Ω |
パッケージの種類: |
TO-247 |
逆の回復時間: |
25ns |
ローズ・コンパイル: |
そうだ |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
100kHz |
温度範囲: |
-40°Cから175°C |
定位電圧: |
1200V |
固体電源DS-SPS12MA12E4S
1200V 12mΩ SiC MOSFET
特徴:
□ 低オンレジスタンスで高ブロック電圧
□ 低容量で高速スイッチング
□ 逆回帰が低い高速内在ダイオード (Qrr)
典型的な 応用:
□ PV インバーター
□ 電池 の 充電
□ エネルギー 貯蔵 システム
□ 産業用電源
□ 工業用 モーター
最大 格付け @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット |
| 排水源電圧 | VDSマックス | VGS=0V,ID=100μA | 1200 | V |
| ゲートソース電圧 | VGSop | 静的 | -5/+20 | V |
| ゲート・ソースの最大電圧 | VGSmax | 静的 | -8/+22 | V |
|
連続流流 |
ID |
VGS=20V,Tc=25°C | 214 |
A について |
| VGS=20V,Tc=100°C | 151 | |||
| パルスドレイン電流 | ID (パルス) | パルス幅 tp は Tjmax で制限されます | 400 | A について |
| 権力 の 消耗 | PD | TC=25°C,Tj=175°C | 938 | W |
| 動作交差点範囲 | Tj | -55から+175 | °C | |
| 貯蔵温度範囲 | Tstg | -55から+175 | °C |
電気 特徴 @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント | シンボル | 条件 |
価値観 ミニ タイプする マックス |
ユニット | ||
| 排水源の断熱電圧 | V ((BR) DSS | VGS=0V,ID=100μA | 1200 | - | - | V |
| ゲート 限界電圧 |
VGS (th) |
VDS=VGS,ID=40mA | 2.0 | 2.7 | 3.5 | V |
| VDS=VGS,ID=40mA,Tj=175°C | - | 1.9 | - | |||
| ゼロゲート電圧流出電流 | IDSS | VDS=1200V,VGS=0V | - | 2 | 100 | μA |
| ゲート・ソースの流出電流 | IGSS | VGS=20V,VDS=0V | - | 10 | 100 | nA |
|
排水源の状態に対する抵抗 |
RDS (オン) |
VGS=20V,ID=100A | - | 12 | 20 |
mΩ |
| VGS=20V,ID=100A,Tj=175°C | - | 20 | - | |||
| VGS=18V,ID=100A | - | 13 | 25 | |||
| VGS=18V,ID=100A,Tj=175°C | - | 21 | - | |||
| トランスコンダクトンス |
gfs |
VDS=20V,IDS=100A | - | 60 | - | S |
| VDS=20V,IDS=100A,Tj=175°C | - | 52 | - | |||
|
オン・スイッチング・エネルギー (ボディ・ダイオードFWD) |
エオン |
VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=100A,RG(ext)=5Ω,L=100μH,Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S |
- |
5.2 |
- |
mJ |
| 切断切換エネルギー (ボディダイオードFWD) |
エーオフ |
- | 3.7 | - | ||
|
オンする遅延時間 |
起動しました |
VDD=800V,VGS=-5V/20V,ID=100A,RG(ext)=5Ω,L=100μH |
- |
24 |
- |
ns |
| 昇る時間 | tr | - | 149 | - | ||
| 停止遅延時間 | 停止する | - | 145 | - | ||
| 秋の時間 | tf | - | 49 | - | ||
|
ゲート・トゥ・ソース・チャージ |
QGS |
VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=100A |
- |
215 |
- |
nC |
| ゲートから排水チャージ | Qgd | - | 179 | - | ||
| 総ゲート料金 | Qg | - | 577 | - | ||
| 入力容量 |
シス |
VGS=0V,VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV |
- | 8330 | - |
pF |
| 出力容量 | コス | - | 343 | - | ||
| リバース 転送 容量 | クロス | - | 57 | - | ||
| COSS 貯蔵されたエネルギー | エオス | - | 217 | - | μJ | |
| 内部ゲート抵抗 |
RG (int) |
f=1MHz,VAC=25mV | - | 0.8 | - | オー |
バック ダイオード 特徴 @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント シンボル | 条件 |
価値観 ユニット ミニ タイプする マックス |
||||
| ダイオード前向き電圧 |
VSD |
VGS=-5V,ISD=50A | - | 4.7 | 7 | V |
| VGS=-5V,ISD=50A,Tj=175°C | - | 3.8 | - | V | ||
| 連続ダイオード前電流 |
IS は |
VGS=-5V | - | 214 | - | A について |
| 逆回復時間 | trr | VGS=-5V | - | 46 | - | ns |
| 逆回収手数料 | Qrr | ISD=100A | - | 1 | - | nC |
| ピーク逆復旧電流 | イーレム | VR=800V,di/dt=1597A/μs | - | 37 | - | A について |
バック ダイオード 特徴 @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント シンボル | 条件 | 価値観 ユニット | ||||
| 交差点からケースまでの熱抵抗 | RθJC | - | 0.16 | - | °C/W | |
| 交差点から環境への熱抵抗 |
RθJA |
- | 32 | - | °C/W | |
典型的なパフォーマンス
典型的なパフォーマンス
典型的なパフォーマンス
典型的なパフォーマンス
典型的なパフォーマンス
これは,1200Vのシリコンカービッド (SiC) MOSFETで,オン状態抵抗は12ミリオーム (12mΩ) です. SiC MOSFETは高電圧能力と低オン状態抵抗で知られています.高周波コンバーターや電気自動車などの効率的な電力電子アプリケーションに適している.
パッケージ 概要: TO-247-4L
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