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1500V 3A IGBT ディスクリートNチャンネル Sic IGBT モジュール DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

製品詳細

モデル番号: SPS03NM15E3

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ハイライト:

1500V 3A IGBT ディスクリート

,

1500V 3A Sic IGBT モジュール

,

Nチャネル シック IGBT モジュール

1500V 3A IGBT ディスクリートNチャンネル Sic IGBT モジュール DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

固体パワーDS-SPS03NM15E3-S03050001 V10

 

1500V 3A NチャネルMOS ディスクリート

 

1500V 3A MOSFET 

 

 

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特徴:

  • 速やかに切り替える
  • 低オン抵抗
  • 低ゲート充電 切り替え損失を最小化
  • 急速な回復体ダイオード

 

 

典型的な 申請:

  • アダプター
  • 充電器
  • SMPS 待機電源

 

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MOSFET モスフェット

出力特性 MOSFET 転送特性 MOSFET

IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C

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抵抗に対する正常化された排気源

RDSon ((P.U.) = f ((Tvj) RDSon=f ((IDS) Tvj=25°C

IDS=1.3A VGS=10V VGS=10V

 

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MOSFET

ダイオードゲート充電特性MOSFETの前向き特性

IDS=f(VDS) VGS=f(QG

VDS=750V,IDS=3A,TVj=25°C

 

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MOSFET

容量特性 MOSFET 最大電源分散

C=f(VDS) PD=f(TC

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

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最大流出電流前方偏向型安全運用区域 (FBSOA)

ID=f (TC)

 

 

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MOSFET

臨時熱インパデンス MOSFET

ZthJC=f (t)

 

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1500Vの電圧と 3Aの電流を指定した 単一のNチャネル金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) ですNチャネルMOSFETは,様々な電子アプリケーションで一般的に使用される半導体デバイスです1500Vはデバイスが対応できる最大電圧を表し,3Aは対応できる最大電流を表します.特定の用途においてMOSFETの信頼性と性能を確保するために,適切な駆動回路と熱消耗を考慮する必要があります.

 

パッケージ 概要 

 

 

1500V 3A IGBT ディスクリートNチャンネル Sic IGBT モジュール DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 10