1200V 75A IGBT PIM モジュール-固体電源-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V10

IGBT インバーター / IGBT逆変器

最大 格付け値/ 最大額定値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

集電極-発射電極圧

コレクター・エミッター電圧

VCES

Tvj=25°C

1200

V

連続集電極直流電流

連続 DC コールコントロール

私はC について

TC について=100°C

75

A について

集電极重复峰値電流

頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流

私はCRM

tp=1ms

150

A について

極-発射極峰値電圧

最大キャット電子発射器の電圧

VGES

±20

V

総電力の損失

合計 パワー 消散するについて

Pトゥ

TC について=25°C,Tvj=175°C

380

W

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプ マックス

単位

集電極-発射极 及び電圧

コレクター・エミッター・サターティ電圧で

VCE(座った)

私はC について=75A,V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

1.72

2.04 2.12

2.10

V

極値電圧

ゲートスロージック電圧

VGE (第)

私はC について=2.4mA,VCE=VGETvj=25°C

5.2 5.6 6.2

V

内部 極電阻

内門 レジスタンス

Rゲント

Tvj=25°C

6.2

オー

输入電容量

インプット上限アシタンス

C についてイー

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

5.24

nF

反向送電容量

バックトランスフェア容量

C についてres

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

0.24

nF

集電极-発射极截止電流

コレクター・エミッター 切断点 cローレンス

私はCES

VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C

1.00

mA

極-発射極漏電流

ゲートエミッター 漏れ 流動

私はGES

VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C

500

nA

開通延延時間(電気負荷)

オン 遅延時間 誘導性 負荷

td( について)

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

85

95

96

ns

上升時間(電気負荷)

立ち上がる時間だ 誘導性 負荷

tr

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

31

34

37

ns

关断延延時間(電気負荷)

ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷

td(消して)

私はC について=75A,VCE=600V

V遺伝子組み換え=-15V... +15V

Rゴン=1Ω

Rゴフ=1Ω

誘導性 ローアド

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

256

309

323

ns

下降時間(電気負荷)

秋の時間 誘導性 負荷

tf

186

178

167

ns

開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲))

オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ

E についてについて

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

4.34

7.86

8.90

mJ

断断耗エネルギー(脈動)

切断エネルギー 損失 1 年間 パルス

E について消して

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

5.58

6.87

7.06

mJ

短路データ

SC データ

私はSC

V遺伝子組み換え=15V...+15 VCC=800V

VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=25°C

400

A について

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

Rザイジ

平均 IGBT / "人"人 IGBT

0.39

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳 150

°C

ダイオード,インバーター/ 二极管,逆変器

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

反向重复峰電圧

頂点 繰り返す 逆電圧e

VRRM

Tvj=25°C

1200

V

連続直流電流

連続 DC について病室電流

私はF について

60

A について

正向重复峰值電流

頂点 繰り返しの前向き電流

私はFRM

tp=1ms

120

A について

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミニタイプ マックス

単位

正向電圧

前向きの電圧

VF について

私はF について=60A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

2.12

1.72 1.64

2.50

V

反向復峰值電流

頂点 逆向き 回復 cローレンス

私はrm

私はF について=60A

- ディF について/dt について消して=1700A/μs

VR = 600 V

V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

64

98

107

A について

反向回復電荷

バック 回復 chアルゲ

Q についてrr

4.74

10.79

12.65

μC

反向復元損失 (每脈冲)

バック 回復 エネルギー (毎週 パルス)

E についてレック

1.75

3.87

4.86

mJ

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

Rザイジ

ダイオードあたり/ 每個二極管

0.62

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳 150

°C

IGBT ブレーキヘリコプター/ IGBT自動車

最大 格付け値/ 最大額定値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

集電極-発射電極圧

コレクター・エミッター電圧

VCES

Tvj=25°C 私はC について=1mA,V遺伝子組み換え=0V

1200

V

連続集電極直流電流

連続 DC コールコントロール

私はC について

TC について=100°C,Tvj=175°C

50

A について

集電极重复峰値電流

頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流

私はCRM

tp=1ms

100

A について

極-発射極峰値電圧

最大キャット電子発射器の電圧

VGES

±20

V

総電力の損失

合計 パワー 消散するについて

Pトゥ

TC について=25°C,Tvj=175°C

270

W

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

集電極-発射极 及び電圧

コレクター・エミッター・サターティ電圧で

VCE(座った)

私はC について=50A,V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

2.02

2.52 2.68

2.40

V

極値電圧

ゲートスロージック電圧

VGE (第)

私はC について=1.6mA,VCE=10V,Tvj=25°C

5.1 5.7 6.3

V

極電荷

ゲート 負荷

Q についてG

V遺伝子組み換え=-15V... +15V

0.23

μC

输入電容量

インプット上限アシタンス

C についてイー

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

3.64

nF

反向送電容量

バックトランスフェア容量

C についてres

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

0.13

nF

集電极-発射极截止電流

コレクター・エミッター 切断点 cローレンス

私はCES

VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C

1.00

mA

極-発射極漏電流

ゲートエミッター 漏れ 流動

私はGES

VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C

100

nA

開通延延時間(電気負荷)

オン 遅延時間 誘導性 負荷

td( について)

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

119

112

111

ns

上升時間(電気負荷)

立ち上がる時間だ 誘導性 負荷

tr

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

38

47

49

ns

关断延延時間(電気負荷)

ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷

td(消して)

私はC について=50A,VCE=600V

V遺伝子組み換え=-15V... +15V

Rゴン=40Ω

Rゴフ=40Ω

誘導性 ローアド

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

319

358

368

ns

下降時間(電気負荷)

秋の時間 誘導性 負荷

tf

176

257

237

ns

開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲))

オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ

E についてについて

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

4.00

7.00

7.89

mJ

断断耗エネルギー(脈動)

切断エネルギー 損失 1 年間 パルス

E について消して

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

3.13

4.26

4.68

mJ

短路データ

SC データ

私はSC

V遺伝子組み換え=15V...+15 VCC=800V

VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=25°C

155

A について

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

Rザイジ

平均 IGBT / "人"人 IGBT

0.54

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳 150

°C

ダイオード ブレーキヘリコプター/ 二极管,車

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

反向重复峰電圧

頂点 繰り返す 逆電圧e

VRRM

Tvj=25°C

1200

V

連続直流電流

連続 DC について病室電流

私はF について

30

A について

正向重复峰值電流

頂点 繰り返しの前向き電流

私はFRM

tp=1ms

60

A について

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミニタイプ マックス.

単位

正向電圧

前向きの電圧

VF について

私はF について=50A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

2.10

1.71 1.62

2.40

V

反向復峰值電流

頂点 逆向き 回復 cローレンス

私はrr

私はF について=50A

- ディF について/dt について消して=710A/μs VR = 600 V

V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

28

35

36

A について

反向回復電荷

バック 回復 chアルゲ

Q についてr

1.68

4.85

5.79

μC

反向復元損失 (每脈冲)

バック 回復 エネルギー (毎週 パルス)

E についてレック

0.47

1.45

1.75

mJ

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

Rザイジ

ダイオードあたり/ 每個二極管

1.35

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳 150

°C

Dヨード 矯正器/ 二极管,整流

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

反向重复峰電圧

頂点 繰り返す 逆電圧e

VRRM

Tvj=25°C

1800

V

最大正向均方根電流(シップ)

最大 RMS 前進電流 1 年間 チップ

私はFRMSM

TC について = 80°C

70

A について

最大整流器出力均方根電流

最大 RMS電流 矯正器 出力

私はRMSM

TC について = 80°C

130

A について

正向浪涌電流

前進する流動

私はFSMについて

tp=10ms,Tvj=25°C シヌ180°

840

A について

私は2t-値

I2t値

私は2t

tp=10ms,Tvj=25°C シヌ180°

3528

A について2s

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

正向電圧

前向きの電圧

VF について

Tvj=25°C 私はF について=60A

2.12 250

V

反向電流

逆電流

私はR

Tvj=125°C, VR=1800V

2.0

mA

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40 150

°C

モジュール/ 模块

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

绝缘試験電圧

孤立試験電圧

VISOL

RMS,f=50Hz,t=1分

2.5

kV

模块基板材料

材料 モジュール ベースプレート

クー

内部絶缘

内部 隔離

基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140)

基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140)

アール2オー3

爬電距離

クリープページタンス

10

mm

電気間隙

免許

7.5

mm

相対電気痕指数

比較追跡 インデックス

CTI

> 200

商品の記号条件 ミニタイプ マックス 単位

杂散電感 模块

流れる 誘導力 モジュール

L についてsCE

25

nH

模块引脚電阻 端子-チップ

モジュール 鉛 抵抗力 ,ターミナルCヒップ

RCC さん+EETH=25°Cスイッチを入れ/perswitch / パススイッチ

1.1

mΩ

貯蔵温度

貯蔵時間パーチュア

Tstg

-40歳 125

°C

模块安装の安装扭曲距離

マウントトールについて モジュール マウント

M について

3.00 6.00

Nm

重量

体重

G

300

g