製品詳細
モデル番号: SPS40MA12E4S
支払いと送料の条件
ボディ・ダイオード・ボルトダウン: |
1.5V |
現在の格付け: |
20A |
ゲート充満: |
20nC |
ゲートの境界の電圧: |
4V |
隔離電圧: |
2500V |
最高の接合部温度: |
175°C |
オン州の抵抗: |
0.1Ω |
出力キャパシタンス: |
50pF |
パッケージの種類: |
TO-247 |
逆の回復時間: |
20ns |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
100kHz |
温度範囲: |
-55°Cへの+175°C |
定位電圧: |
1200V |
ボディ・ダイオード・ボルトダウン: |
1.5V |
現在の格付け: |
20A |
ゲート充満: |
20nC |
ゲートの境界の電圧: |
4V |
隔離電圧: |
2500V |
最高の接合部温度: |
175°C |
オン州の抵抗: |
0.1Ω |
出力キャパシタンス: |
50pF |
パッケージの種類: |
TO-247 |
逆の回復時間: |
20ns |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
100kHz |
温度範囲: |
-55°Cへの+175°C |
定位電圧: |
1200V |
特徴:
□ 低オンレジスタンスで高ブロック電圧
□ 低容量で高速スイッチング
□ 逆回帰が低い高速内在ダイオード (Qrr)
典型的な 応用:
□ PV インバーター
□ 電池 の 充電
□ エネルギー 貯蔵 システム
□ 産業用電源
□ 工業用 モーター
最大 格付け @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット |
| 排水源電圧 | VDSマックス | VGS=0V,ID=100μA | 1200 | V |
| ゲートソース電圧 | VGSop | 静的 | -5/+20 | V |
| ゲート・ソースの最大電圧 | VGSmax | 静的 | -8/+22 | V |
|
連続流流 |
ID |
VGS=20V,Tc=25°C | 75 | A について |
| VGS=20V,Tc=100°C | 53 | |||
| パルスドレイン電流 | ID (パルス) | パルス幅 tp は Tjmax で制限されます | 120 | A について |
| 権力 の 消耗 | PD | TC=25°C,Tj=175°C | 366 | W |
| 動作交差点範囲 | Tj | -55から+175 | °C | |
| 貯蔵温度範囲 | Tstg | -55から+175 | °C |
| ポイント | シンボル | 条件 |
ミニ |
価値観 タイプする |
マックス |
ユニット |
| 排水源の断熱電圧 | V ((BR) DSS | VGS=0V,ID=100μA | 1200 | - | - | V |
|
ゲート 限界電圧 |
VGS (th) |
VDS=VGS,ID=10mA | 2.0 | 2.8 | 3.5 |
V |
| VDS=VGS,ID=10mA,Tj=175°C | - | 1.9 | - | |||
| ゼロゲート電圧流出電流 | IDSS | VDS=1200V,VGS=0V | - | 1 | 100 | μA |
| ゲート・ソースの流出電流 | IGSS | VGS=20V,VDS=0V | - | 10 | 100 | nA |
|
排水源の状態に対する抵抗 |
RDS (オン) |
VGS=20V,ID=35A | - | 40 | 60 |
mΩ |
| VGS=20V,ID=35A,Tj=175°C | - | 64 | - | |||
| VGS=18V,ID=35A | - | 43 | 70 | |||
| VGS=18V,ID=35A,Tj=175°C | - | 67 | - | |||
|
トランスコンダクトンス |
gfs |
VDS=20V,IDS=35A | - | 20 | - |
S |
| VDS=20V,IDS=35A,Tj=175°C | - | 18 | - | |||
| オン・スイッチング・エネルギー (ボディ・ダイオードFWD) |
エオン |
VDS=800V VGS=-5V/20V,ID=35A |
- |
635 |
- |
|
|
切断切換エネルギー (ボディダイオードFWD) |
エーオフ |
RG ((ext) =2.5Ω,L=200μH,Tj=25°C FWD=SPS40MA12E4S |
- |
201 |
- |
μJ |
| オンする遅延時間 | 起動しました | - | 9 | - | ||
| 昇る時間 | tr | VDD=800V | - | 30 | - | |
|
VGS=-5V/20V ID=35A |
ns | |||||
| 停止遅延時間 | 停止する | - | 31 | - | ||
| RG (ext) =2.5Ω,L=200μH | ||||||
| 秋の時間 | tf | - | 12 | - | ||
| ゲート・トゥ・ソース・チャージ | QGS |
VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=35A |
- | 40 | - | |
| ゲートから排水チャージ | Qgd | - | 60 | - | nC | |
| 総ゲート料金 | Qg | - | 163 | - | ||
| 入力容量 | シス |
VGS=0V,VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV |
- | 2534 | - |
pF |
| 出力容量 | コス | - | 110 | - | ||
| リバース 転送 容量 | クロス | - | 26 | - | ||
| COSS 貯蔵されたエネルギー | エオス | - | 70 | - | μJ | |
| 内部ゲート抵抗 | RG (int) | f=1MHz,VAC=25mV | - | 1.6 | - | オー |
バック ダイオード 特徴 @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント | シンボル | 条件 |
ミニ |
価値観 タイプする |
マックス |
ユニット |
|
ダイオード前向き電圧 |
VSD |
VGS=-5V,ISD=20A | - | 4.9 | 7 | V |
| VGS=-5V,ISD=20A,Tj=175°C | - | 4.1 | - | V | ||
|
連続ダイオード前電流 |
IS は | VGS=-5V | - | 75 | - | A について |
|
逆回復時間 |
trr | VGS=-5V | - | 32 | - | ns |
|
逆回収手数料 |
Qrr | ISD=35A | - | 769 | - | nC |
| ピーク逆復旧電流 | イーレム | VR=800V,di/dt=3000A/μs | - | 39 | - | A について |
バック ダイオード 特徴 @Tc=25°C (ただし そうでない場合 指定)
| ポイント | シンボル | 条件 |
ミニ |
価値観 タイプする |
マックス |
ユニット |
| 交差点からケースまでの熱抵抗 | RθJC | - | 0.41 | - | °C/W |
典型的な パフォーマンス
典型的な パフォーマンス
これはシリコンカービッド (SiC) メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) で,電圧は1200Vで,オン状態抵抗 (RDS(オン)) は40ミリオーム (40mΩ) です.SiC MOSFET は高電圧能力と低オン状態抵抗で知られています高周波変換機や電気自動車などの効率的な電力電子アプリケーションに適しています.40mΩ のオン状態抵抗は,伝導中に比較的低い電源損失を示しています高出力アプリケーションにおける効率の向上に貢献する.
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