製品詳細
モデル番号: SPS200F12K3
支払いと送料の条件
コレクター流れ: |
50A |
Collector-emitter電圧: |
600V |
現在の格付け: |
50A |
ゲート充満: |
50nC |
ゲート エミッターの電圧: |
±20V |
隔離電圧: |
2500V |
最大動作温度: |
150°C |
パッケージの種類: |
エコノパック |
逆の回復時間: |
100ns |
ローズ・コンパイル: |
はい |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
20KHZ |
熱耐性: |
1.5°C/W |
定位電圧: |
600V |
コレクター流れ: |
50A |
Collector-emitter電圧: |
600V |
現在の格付け: |
50A |
ゲート充満: |
50nC |
ゲート エミッターの電圧: |
±20V |
隔離電圧: |
2500V |
最大動作温度: |
150°C |
パッケージの種類: |
エコノパック |
逆の回復時間: |
100ns |
ローズ・コンパイル: |
はい |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
20KHZ |
熱耐性: |
1.5°C/W |
定位電圧: |
600V |
ソリッドパワーDS-SPS200F12K3-S04030013 V10
1200V 200A IGBT 満タン 橋 モジュール
特徴:
□ 1200V トレンチ+フィールドストップ技術
□ フリーホイール ダイオード 速くて柔らかい リバース 回復
□ VCE (sat)陽性温度係数を持つ
□ 切り替え 損失 が 少なく
□ 短回路 の 耐久性
典型的な応用:
□ モーター 駆動
□ セルボ 駆動
□ 補助インバーター
パッケージ
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
|
隔離試験電圧 |
VISOL | RMS,f = 50 Hz,t = 1 分 | 2.5 | kV | |||
|
モジュールベースプレートの材料 |
クー | ||||||
|
内隔 |
(クラス1,IEC 61140) 基本隔熱 (1級,IEC 61140) |
アール2オー3 | |||||
|
クリープ距離 |
クリープ | 熱シンクへの端末 | 10.0 | mm | |||
|
免許 |
dクリア | 熱シンクへの端末 | 7.5 | mm | |||
|
比較追跡指数 |
CTI | >200 | |||||
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
流れる誘導モジュール |
LsCE | 21 | nH | ||||
|
モジュールのリード抵抗,端子 - チップ |
RCC+EE | TC について=25°C | 1.80 | mΩ | |||
|
保存温度 |
Tstg | -40歳 | 125 | °C | |||
|
モジュールのマウント用のマウントトルク |
M5 | 3 | 6 | Nm | |||
|
体重 |
G | 300 | g | ||||
IGBT
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
コレクター・エミッター 電圧 |
VCES | Tvj=25°C | 1200 | V | |
|
ゲート・エミッター最大電圧 |
VGES | ±20 | V | ||
|
ゲート・エミッター・トランジション・電圧 |
VGES | tp≤10μs,D=001 | ±30 | V | |
|
連続DCコレクター電流 |
私はC について | TC について=60°C | 200 | A について | |
|
パルスのコレクター電流,tpはTで制限されるjmax |
ICパルス | 400 | A について | ||
|
電力消耗 |
Ptot | 750 | W | ||
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
コレクター・エミッター 飽和電圧 |
VCE (衛星) | 私はC について=200A,V遺伝子組み換え=15V | Tvj=25°C | 1.60 | 2.10 |
V |
|
| Tvj=125°C | 1.80 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.85 | ||||||
|
ゲートスロージングル電圧 |
VGE (th) | VCE=V遺伝子組み換え私はC について=8mA | 5.2 | 6.0 | 6.7 | V | |
|
コレクター・エミッター切断電流 |
ICES | VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 100 | μA | ||
| Tvj=150°C | 5 | mA | |||||
|
ゲート・エミッター・リーキャージ・電流 |
IGES | VCE=0V,V遺伝子組み換え=±20V,Tvj=25°C | -200ドル | 200 | nA | ||
|
ゲートチャージ |
Q についてG | VCE=600V,IC について=200A,V遺伝子組み換え=±15V | 1.6 | μC | |||
|
入力容量 |
シエス | VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V,f =100kHz | 24.7 |
nF |
|||
|
出力容量 |
コース | 0.9 | |||||
|
リバース 転送 容量 |
クレス | 0.2 | |||||
|
起動遅延時間,インダクション負荷 |
起動しました |
VCC=600V,IC について=200A RG=3.3Ω V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 388 | ns | ||
| Tvj=125°C | 428 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 436 | ns | |||||
|
上昇時間,インダクション負荷 |
tr | Tvj=25°C | 44 | ns | |||
| Tvj=125°C | 52 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 56 | ns | |||||
|
シャットオフの遅延時間,インダクション負荷 |
停止する |
VCC=600V,IC について=200A RG=3.3Ω V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 484 | ns | ||
| Tvj=125°C | 572 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 588 | ns | |||||
|
落ちる時間,インダクション負荷 |
tf | Tvj=25°C | 132 | ns | |||
| Tvj=125°C | 180 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 196 | ns | |||||
|
パルス毎のオンエネルギー損失 |
エオン |
VCC=600V,IC について=200A RG=3.3Ω V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 6.5 | mJ | ||
| Tvj=125°C | 9.6 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 11.2 | mJ | |||||
|
パルス毎のエネルギー損失をオフにする |
エーオフ | Tvj=25°C | 11.8 | mJ | |||
| Tvj=125°C | 16.4 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 17.3 | mJ | |||||
|
SCデータ |
ISC | V遺伝子組み換え≤15V,VCC=800V | tp≤10μs Tvj=150°C | 750 | A について | ||
|
IGBT熱抵抗,接続ケース |
RthJC | 0.20 | K / W | ||||
|
動作温度 |
TJop | -40歳 | 150 | °C | |||
ダイオード
最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
繰り返しの逆電圧 |
VRRM | Tvj=25°C | 1200 | V | |
|
連続DC前向き電流 |
私はF について | 200 |
A について |
||
|
ダイオードパルス電流,tpはTで制限されるJmax |
IFパルス | 400 | |||
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
|
前向きの電圧 |
VF について | 私はF について=200A,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 1.5 | 1.80 | 2.40 |
V |
| Tvj=125°C | 1.80 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.80 | ||||||
|
逆回復時間 |
trr |
私はF について=200A dIF について/dt=-6000A/μs (T)vj=150°C) VR=600V V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 864 |
ns |
||
| Tvj=125°C | 1170 | ||||||
| Tvj=150°C | 1280 | ||||||
|
最大逆回帰電流 |
IRRM | Tvj=25°C | 270 |
A について |
|||
| Tvj=125°C | 290 | ||||||
| Tvj=150°C | 300 | ||||||
|
逆回収手数料 |
QRR | Tvj=25°C | 22.6 |
μC |
|||
| Tvj=125°C | 34.8 | ||||||
| Tvj=150°C | 40.0 | ||||||
|
パルス毎の逆回復エネルギー損失 |
エレック | Tvj=25°C | 4.0 |
mJ |
|||
| Tvj=125°C | 13.7 | ||||||
| Tvj=150°C | 16.1 | ||||||
|
ダイオード熱抵抗 接続ケース |
RthJCD | 0.30 | K / W | ||||
|
動作温度 |
TJop | -40歳 | 150 | °C | |||
NTC-サーミストール
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
|
定数抵抗 |
R25 | TC について=25°C | 5.00 | kΩ | |
|
B値 |
R25/50 | 3375 | K | ||
生産量 特徴 (典型) 出力 特徴 (典型)
私はC について= f (V)CE) IC について= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
移転 特徴 (典型) 切り替える 損失 IGBT(典型的な)
私はC について= f (V)遺伝子組み換え) V遺伝子組み換え= ±15V,IC について= 200A,VCE= 600V
VCE= 20VV遺伝子組み換え= ±15V,IC について= 200A,VCE= 600V
IGBT RBSOA
切り替える 損失 IGBT(典型的な) 逆向き 偏見 安全 動作する 面積 (RBSOA)
E = f (I)C について) IC について=f (V)CE)
V遺伝子組み換え= ±15V,RG= 3.3Ω, VCE= 600VV遺伝子組み換え= ±15V,Rゴフ= 3.3Ω,Tvj= 150°C
典型的な 容量 と a は 機能 について コレクター・エミッター 電圧 ゲート 負荷(典型的な)
C = f (V)CE) V遺伝子組み換え= f (Q)G)
f = 100 kHz,V遺伝子組み換え= 0V IC について= 200A,VCE= 600V
IGBT
IGBT 臨時的な 熱力 阻力 と a は 機能 について パルス 幅 前へ 特徴 について ダイオード (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) IF について= f (V)F について)
切り替える 損失 ダイオード (典型) 切り替え 損失 ダイオード (典型)
E についてレック= f (R)G) Eレック= f (I)F について)
私はF について= 200A,VCE= 600V RG= 3.3Ω,VCE= 600V
ダイオード 臨時的な 熱力 阻力 と a は 機能 について パルス幅 NTC-サーミスター温度 特徴 (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) R = f (T)
これは1200V,200A IGBT フルブリッジモジュールです.フルブリッジ構成は,モータードライブ,インバーター,電源などの電力電子アプリケーションで一般的に使用されています.電圧指定は,モジュールが処理できる最大電圧を示します.熱吸収,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,冷却,信頼性と安全性を確保するために必要である..
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
Tags:
