製品詳細
ブランド名: SPS
モデル番号: SPS450B17D3R8
支払いと送料の条件
ソリッドパワーDS-SPS450B17D3R8-S04050001 V-20
1700V 450A IGBT ハーフブリッジ モジュール
IGBT インバーター / IGBT逆変器
最大 格付け値/ 最大額定値 |
||||||
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
||
集電極-発射電極圧 コレクター・エミッター電圧 |
VCES |
Tvj=25°C |
1700 |
V |
||
連続集電極直流電流 連続 DC コールコントロール |
私はC について ノーム |
TC について=100°C,Tvjmax=175°C |
450 |
A について |
||
集電极重复峰値電流 頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流 |
私はCRM |
tp=1ms |
900 |
A について |
||
極-発射極峰値電圧 最大キャット電子発射器の電圧 |
VGES |
±20 |
V |
|||
性格基準値/ 特征値 |
||||||
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプする マックス |
単位 |
||
集電極-発射极 及び電圧 コレクター・エミッター・サターティ電圧で |
VCE(座った) |
私はC について=450A,V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.70 1.95 2.00 |
2.00 |
V V V |
極値電圧 ゲートスロージック電圧 |
VGE (第) |
私はC について=17mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C |
5.1 5.9 6.6 |
V |
||
極電荷 ゲート 負荷 |
Q についてG |
V遺伝子組み換え=-15V... +15V |
2.42 |
uC |
||
内部 極電阻 内門 レジスタンス |
Rゲント |
Tvj=25°C |
2.2 |
オー |
||
输入電容量 インプット上限アシタンス |
C についてイー |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V |
37.5 |
nF |
||
反向送電容量 バックトランスフェア容量 |
C についてres |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=10V,V遺伝子組み換え=0V |
0.63 |
nF |
||
集電极-発射极截止電流 コレクター・エミッター 切断点 cローレンス |
私はCES |
VCE=1700V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C |
3.00 |
mA |
||
極-発射極漏電流 ゲートエミッター 漏れ 流動 |
私はGES |
VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C |
400 |
nA |
||
開通延延時間(電気負荷) オン 遅延時間 誘導性 負荷 |
td( について) |
私はC について=450A,VCE=900V V遺伝子組み換え=±15V Rゴン=3.3Ω Rゴフ=3.3Ω
誘導性 ローアd, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
215 240
245 |
ns ns ns |
|
上升時間(電気負荷) 立ち上がる時間だ 誘導性 負荷 |
tr |
100 125
130 |
ns ns ns |
|||
关断延延時間(電気負荷) ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷 |
td(消して) |
575 720
740 |
ns ns ns |
|||
下降時間(電気負荷) 秋の時間 誘導性 負荷 |
tf |
385 670
715 |
ns ns ns |
|||
開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲)) オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ |
E についてについて |
135 223
241 |
mJ mJ mJ |
|||
断断耗エネルギー(脈動) 切断エネルギー 損失 1 年間 パルス |
E について消して |
103 159
167 |
mJ mJ mJ |
|||
短路データ SC データ |
私はSC |
V遺伝子組み換え≤15V,VCC=1000V VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=150°C |
1400 |
A について |
||
结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
平均 IGBT / "人"人 IGBT |
0.07 |
K/W |
||
作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳150 |
°C |
ダイオード,インバーター/ 二极管,逆変器 最大 格付け値/ 最大額定值 |
||||||
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
||
反向重复峰電圧 頂点 繰り返す 逆電圧e |
VRRM |
Tvj=25°C |
1700 |
V |
||
連続直流電流 連続 DC について病室電流 |
私はF について |
450 |
A について |
|||
正向重复峰值電流 頂点 繰り返しの前向き電流 |
私はFRM |
tp=1ms |
900 |
A について |
||
性格基準値/ 特征値 |
||||||
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプする マックス |
単位 |
||
正向電圧 前向きの電圧 |
VF について |
私はF について=450A |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.80 1.95 1.95 |
2.10 |
V V V |
反向復峰值電流
頂点 逆向き 回復 cローレンス |
私はRM |
私はF について=450A - ディF について/dt について消して=5200A/μs VR =900V
V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C 490 Tvj=125°C485
Tvj=150°C485 |
A について A について A について |
||
回復電荷 回収料 |
Q についてr |
Tvj=25°C90 Tvj=125°C 185
Tvj=150°C 200 |
uC uC uC |
|||
反向復元損失 (每脈冲) バック 回復 エネルギー (毎週 パルス) |
E についてレック |
Tvj=25°C 43 Tvj=125°C 87
Tvj=150°C 95 |
mJ mJ mJ |
|||
结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
ダイオードあたり/ 每個二極管 |
0.09 |
K/W |
||
作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳 150 |
°C |
|||
NTC-サーミストール / 負温度系数 熱敏電阻 特徴 的 な 価値/特征値 |
||||||
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
||
额定電阻値 格付け リシスタンス |
R25 |
TC について=25°C |
5.00 |
kΩ |
||
B-値 B値 |
B について25/50 |
3375 |
K |
モジュール/ 模块 |
||||
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
绝缘試験電圧 孤立試験電圧 |
VISOL |
RMS,f=50Hz,t=1分 |
3.4 |
kV |
模块基板材料 材料 モジュール ベースプレート |
クー |
|||
内部絶缘 内部 隔離 |
基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140) 基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140) |
アール2オー3 |
||
爬電距離 クリープページタンス |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
14.5 13.0 |
mm |
|
電気間隙 免許 |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
12.5 10.0 |
mm |
|
相対電気痕指数 比較追跡 インデックス |
CTI |
> 200 |
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン |
タイプする |
マックス |
単位 |
杂散電感 模块 流れる 誘導力 モジュール |
L についてsCE |
20 |
nH |
|||
模块引線電阻,端子-チップ モジュール 鉛 抵抗,端末 - チップ |
RCC+EE |
TC について=25°C |
1.10 |
mΩ |
||
貯蔵温度
貯蔵時間パーチュア |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
||
模块安装の安装トークス マウントトールについて モジュール マウント |
M5 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
||
端子 接続 トークトーク ターミナル接続n トーク |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
||
重量
体重 |
G |
345 |
g |