1200V 600A IGBT ハーフブリッジモジュール-固体電源-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

IGBT インバーター/ IGBT逆に変器

最大額定値/最大額定値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

集電極-発射電極圧

コレクターイーター電圧

VCES

Tvj=25°C ,VGE=0V

1200

V

連続集電極直流電流

連続DCコレクター電流

私はC について ノーム

TC について=105°C Tvjmax=175°C

600

A について

集電极重复峰値電流

頂点 繰り返す コレクター 流動

私はCRM

tp=1ms

1200

A について

極-発射極峰値電圧

最大ゲートエミッター vオルテージ

VGES

±20

V

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプ マックス

単位

集電极-発射极 和電圧

コレクター・エミッター 飽和度 電圧

VCE(座った)

私はC について=600A,V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

1.53

1.71

1.83

V

V

V

極値電圧

ゲート 制限値 電圧

VGE (第)

私はC について=24mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C

5.5

V

極電荷

ゲート料金e

Q についてG

V遺伝子組み換え=-15V... +15V 私はC について=600A,VCE=600V

4.1

uC

内部 極電阻

内部ゲート抵抗

Rゲント

Tvj=25°C

2

オー

输入電容量

入力容量

C についてイー

Tvj=25°C

76

nF

集電极-発射极截止電流

コレクターエミッター切断電流

私はCES

VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V,

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=175°C

0.1

0.35

12

mA

mA

mA

極-発射極漏電流

ゲート発信ター 流出電流

私はGES

VCE=0V,V遺伝子組み換え=±20V,Tvj=125°C

-150ドル 150

nA

開通延延時間(電気感负载)

td(について)

Tvj=25°C Tvj=125°C

435

488

ns

ns

起動遅延 時間,誘導負荷

Tvj=175°C

510

ns

上升時間(電気負荷)

Tvj=25°C

156

ns

昇る時間

Tvj=125°C Tvj=175°C

202

225

ns

ns

关断延延時間(電気感負荷)

ターンオフ 遅延 時間,誘導負荷

td(消して)

私はC について=600A,VCC =600V

V遺伝子組み換え=±15V

RG=0.51Ω

C についてGE=0 nF について

誘導性 L についてオード

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=175°C

Tvj=25°CTvj=125°C Tvj=175°C

385

417

427

ns

ns

ns

下降時間(電気負荷)

秋の時間,インダクティブ負荷

tf

112

148

176

ns

ns

ns

開通損耗エネルギー(脈冲)

95

mJ

パルス毎のオンエネルギー損失

E についてについて

140

171

mJ

mJ

断断耗エネルギー(脈動)

67

mJ

切断時のエネルギー損失se について

E について消して

99

115

mJ

mJ

短路データ

SC データ

私はSC

V遺伝子組み換え=15V,VCC=900V

VCEM CHIP について ≤1200V ,Tvj=175°C

2500

A について

结-外 熱阻

熱力 抵抗する交差点から ケース

Rザイジ

IGBTごとに /"人"人IGBT

0.05

K/W

作業温度

切換中の温度 c条件

Tvjop

-40歳150

°C