1700V 450A IGBT モジュール EconoDual3 SiC ハーフブリッジ モジュール 固体電源DS-SPS450B17D3R8-S04050019 V-2.0

IGBT インバーター / IGBT逆変器

最大 格付け値/ 最大額定値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

集電極-発射電極圧

コレクター・エミッター電圧

VCES

Tvj=25°C

1700

V

連続集電極直流電流

連続 DC コールコントロール

私はC について ノーム

TC について=100°C,Tvjmax=175°C

450

A について

集電极重复峰値電流

頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流

私はCRM

tp=1ms

900

A について

極-発射極峰値電圧

最大キャット電子発射器の電圧

VGES

±20

V

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

集電極-発射极 及び電圧

コレクター・エミッター・サターティ電圧で

VCE(座った)

私はC について=450A,V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

1.70

1.95 2.00

2.00

V

V

V

極値電圧

ゲートスロージック電圧

VGE (第)

私はC について=17mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C

5.1 5.9 6.6

V

極電荷

ゲート 負荷

Q についてG

V遺伝子組み換え=-15V... +15V

2.42

uC

内部 極電阻

内門 レジスタンス

Rゲント

Tvj=25°C

2.2

オー

输入電容量

インプット上限アシタンス

C についてイー

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

37.5

nF

反向送電容量

バックトランスフェア容量

C についてres

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=10V,V遺伝子組み換え=0V

0.63

nF

集電极-発射极截止電流

コレクター・エミッター 切断点 cローレンス

私はCES

VCE=1700V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C

3.00

mA

極-発射極漏電流

ゲートエミッター 漏れ 流動

私はGES

VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C

400

nA

開通延延時間(電気負荷)

オン 遅延時間 誘導性 負荷

td( について)

私はC について=450A,VCE=900V

V遺伝子組み換え=±15V

Rゴン=3.3Ω

Rゴフ=3.3Ω

誘導性 ローアd,

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

230

250

252

ns

ns

ns

上升時間(電気負荷)

立ち上がる時間だ 誘導性 負荷

tr

110

130

135

ns

ns

ns

关断延延時間(電気負荷)

ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷

td(消して)

605

735

740

ns

ns

ns

下降時間(電気負荷)

秋の時間 誘導性 負荷

tf

410

670

695

ns

ns

ns

開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲))

オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ

E についてについて

129

181

190

mJ

mJ

mJ

断断耗エネルギー(脈動)

切断エネルギー 損失 1 年間 パルス

E について消して

111

154

159

mJ

mJ

mJ

短路データ

SC データ

私はSC

V遺伝子組み換え≤15V,VCC=1000V

VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=150°C

1400

A について

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

Rザイジ

平均 IGBT / "人"人 IGBT

0.07

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳150

°C

ダイオード,インバーター/ 二极管,逆変器

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

反向重复峰電圧

頂点 繰り返す 逆電圧e

VRRM

Tvj=25°C

1700

V

連続直流電流

連続 DC について病室電流

私はF について

450

A について

正向重复峰值電流

頂点 繰り返しの前向き電流

私はFRM

tp=1ms

900

A について

性格基準値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

正向電圧

前向きの電圧

VF について

私はF について=450A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

2.00

2.202.25

2.30

V

V

V

反向復峰值電流

頂点 逆向き 回復 cローレンス

私はRM

私はF について=450A

- ディF について/dt について消して=3700A/μs

VR =900V

V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C 370

Tvj=125°C345

Tvj=150°C345

A について

A について

A について

回復電荷

回収料

Q についてr

Tvj=25°C80

Tvj=125°C 125

Tvj=150°C 125

uC

uC

uC

反向復元損失 (每脈冲)

バック 回復 エネルギー (毎週 パルス)

E についてレック

Tvj=25°C 43

Tvj=125°C 62

Tvj=150°C 65

mJ

mJ

mJ

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

Rザイジ

ダイオードあたり/ 每個二極管

0.10

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳 150

°C

NTC-サーミストール / 負温度系数 熱敏電阻

特徴 的 な 価値/特征値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

额定電阻値

格付け リシスタンス

R25

TC について=25°C

5.00

kΩ

B-値

B値

B について25/50

3375

K

モジュール/ 模块

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

绝缘試験電圧

孤立試験電圧

VISOL

RMS,f=50Hz,t=1分

3.4

kV

模块基板材料

材料 モジュール ベースプレート

クー

内部絶缘

内部 隔離

基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140)

基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140)

アール2オー3

爬電距離

クリープページタンス

端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク

端子-端子/ターミナルへミナール

14.5

13.0

mm

電気間隙

免許

端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク

端子-端子/ターミナルへミナール

12.5

10.0

mm

相対電気痕指数

比較追跡 インデックス

CTI

> 200

ポイント

シンボル

条件

ミン

タイプする

マックス

単位

杂散電感 模块

流れる 誘導力 モジュール

L についてsCE

20

nH

模块引線電阻,端子-チップ

モジュール 鉛 抵抗,端末 - チップ

RCC+EE

TC について=25°C

1.10

mΩ

貯蔵温度

貯蔵時間パーチュア

Tstg

-40歳

125

°C

模块安装の安装トークス

マウントトールについて モジュール マウント

M5

3.00

6.00

Nm

端子 接続 トークトーク

ターミナル接続n トーク

M6

3.00

6.00

Nm

重量

体重

G

345

g