製品詳細
モデル番号: SPS450B12G6M4
支払いと送料の条件
固体パワーDS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-10.
1200V 450A IGBT 半分 橋 モジュール
特徴:
□ 1200V トレンチ+フィールドストップ技術
□ フリーホイール ダイオード 速くて柔らかい リバース 回復
□ VCE (sat)陽性温度係数を持つ
□ 切り替え 損失 が 少なく
□ 短回路 の 耐久性
典型的な応用:
□ 感電式 暖房
□ 溶接
□ 高周波スイッチング
IGBT パッケージ
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
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隔離試験電圧 |
VISOL | RMS,f = 50 Hz,t = 1 分 | 4.0 | kV | |||
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モジュールベースプレートの材料 |
クー | ||||||
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内隔 |
(クラス1,IEC 61140) 基本隔熱 (1級,IEC 61140) |
アール2オー3 | |||||
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クリープ距離 |
クリープ | 熱シンクへの端末 | 29.0 | mm | |||
| クリープ | 端から端へ | 23.0 | |||||
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免許 |
dクリア | 熱シンクへの端末 | 23.0 | mm | |||
| dクリア | 端から端へ | 11.0 | |||||
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比較追跡指数 |
CTI | >400 | |||||
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
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流れる誘導モジュール |
LsCE | 20 | nH | ||||
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モジュールのリード抵抗,端子 - チップ |
RCC+EE | TC について=25°C | 0.70 | mΩ | |||
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保存温度 |
Tstg | -40歳 | 125 | °C | |||
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モジュールのマウント用のマウントトルク |
M5 | 3.0 | 6.0 | Nm | |||
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ターミナル接続トーク |
M6 | 2.5 | 5.0 | Nm | |||
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体重 |
G | 320 | g | ||||
IGBT 最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
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コレクター・エミッター 電圧 |
VCES | Tvj=25°C | 1200 | V | |
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ゲート・エミッター最大電圧 |
VGES | ±20 | V | ||
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ゲート・エミッター・トランジション・電圧 |
VGES | tp≤10μs,D=001 | ±30 | V | |
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連続DCコレクター電流 |
私はC について | TC について=25°C | 675 | A について | |
| TC について=100°C | 450 | ||||
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パルスのコレクター電流,tpはTで制限されるjmax |
ICパルス | 900 | A について | ||
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電力消耗 |
Ptot | 1875 | W | ||
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
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コレクター・エミッター 飽和電圧 |
VCE (衛星) | 私はC について=450A,V遺伝子組み換え=15V | Tvj=25°C | 1.50 | 1.80 |
V |
|
| Tvj=125°C | 1.65 | ||||||
| Tvj=150°C | 1.70 | ||||||
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ゲートスロージングル電圧 |
VGE (th) | VCE=V遺伝子組み換え私はC について=18mA | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V | |
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コレクター・エミッター切断電流 |
ICES | VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 100 | μA | ||
| Tvj=150°C | 5 | mA | |||||
|
ゲート・エミッター・リーキャージ・電流 |
IGES | VCE=0V,V遺伝子組み換え=±20V,Tvj=25°C | -200ドル | 200 | nA | ||
|
ゲートチャージ |
Q についてG | VCE=600V,IC について=450A,V遺伝子組み換え=±15V | 5.0 | μC | |||
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入力容量 |
シエス | VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V,f =100kHz | 90.0 |
nF |
|||
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出力容量 |
コース | 2.84 | |||||
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リバース 転送 容量 |
クレス | 0.81 | |||||
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起動遅延時間,インダクション負荷 |
起動しました |
VCC=600V,IC について=450A RG=1.8Ω V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 168 | ns | ||
| Tvj=125°C | 172 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 176 | ns | |||||
|
上昇時間,インダクション負荷 |
tr | Tvj=25°C | 80 | ns | |||
| Tvj=125°C | 88 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 92 | ns | |||||
|
シャットオフの遅延時間,インダクション負荷 |
停止する |
VCC=600V,IC について=450A RG=1.8Ω V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 624 | ns | ||
| Tvj=125°C | 668 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 672 | ns | |||||
|
落ちる時間,インダクション負荷 |
tf | Tvj=25°C | 216 | ns | |||
| Tvj=125°C | 348 | ns | |||||
| Tvj=150°C | 356 | ns | |||||
|
パルス毎のオンエネルギー損失 |
エオン |
VCC=600V,IC について=450A RG=1.8Ω V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 17.2 | mJ | ||
| Tvj=125°C | 27.1 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 30.0 | mJ | |||||
|
パルス毎のエネルギー損失をオフにする |
エーオフ | Tvj=25°C | 52.3 | mJ | |||
| Tvj=125°C | 64.3 | mJ | |||||
| Tvj=150°C | 67.1 | mJ | |||||
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SCデータ |
ISC | V遺伝子組み換え≤15V,VCC=800V | tp≤10μs Tvj=150°C | 2000 | A について | ||
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IGBT熱抵抗,接続ケース |
RthJC | 0.08 | K / W | ||||
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動作温度 |
TJop | -40歳 | 150 | °C | |||
ダイオード 最大 格付け 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |
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繰り返しの逆電圧 |
VRRM | Tvj=25°C | 1200 | V | |
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連続DC前向き電流 |
私はF について | 450 |
A について |
||
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ダイオードパルス電流,tpはTで制限されるJmax |
IFパルス | 900 | |||
特徴 価値観
| ポイント | シンボル | 条件 | 価値観 | ユニット | |||
| ミン | タイプする | マックス | |||||
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前向きの電圧 |
VF について | 私はF について=450A,V遺伝子組み換え=0V | Tvj=25°C | 2.30 | 2.70 |
V |
|
| Tvj=125°C | 2.50 | ||||||
| Tvj=150°C | 2.50 | ||||||
|
逆回復時間 |
trr |
私はF について=450A dIF について/dt=-5600A/μs (T)vj=150°C) VR=600V V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C | 134 |
ns |
||
| Tvj=125°C | 216 | ||||||
| Tvj=150°C | 227 | ||||||
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最大逆回帰電流 |
IRRM | Tvj=25°C | 317 |
A について |
|||
| Tvj=125°C | 376 | ||||||
| Tvj=150°C | 379 | ||||||
|
逆回収手数料 |
QRR | Tvj=25°C | 40.5 |
μC |
|||
| Tvj=125°C | 63.2 | ||||||
| Tvj=150°C | 65.4 | ||||||
|
パルス毎の逆回復エネルギー損失 |
エレック | Tvj=25°C | 15.9 |
mJ |
|||
| Tvj=125°C | 27.0 | ||||||
| Tvj=150°C | 28.1 | ||||||
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ダイオード熱抵抗 接続ケース |
RthJCD | 0.13 | K / W | ||||
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動作温度 |
TJop | -40歳 | 150 | °C | |||
生産量 特徴 (典型) 出力 特徴 (典型)
私はC について= f (V)CE) IC について= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
移転 特徴 (典型) 切り替える 損失 IGBT(典型的な)
私はC について= f (V)遺伝子組み換え) E = f (RG)
VCE= 20VV遺伝子組み換え= ±15V,IC について= 450A,VCE= 600V
IGBT RBSOA
切り替える 損失 IGBT(典型的な) 逆向き 偏見 安全 動作する 面積 (RBSOA)
E = f (I)C について) IC について=f (V)CE)
V遺伝子組み換え= ±15V,RG= 1.8Ω, VCE= 600VV遺伝子組み換え= ±15V,Rゴフ= 3.3Ω,Tvj= 150°C
典型的な 容量 と a は 機能 について コレクター・エミッター 電圧 ゲート 負荷(典型的な)
C = f (V)CE) V遺伝子組み換え= f (Q)G)
f = 100 kHz,V遺伝子組み換え= 0V IC について= 450A,VCE= 600V
IGBT
IGBT 臨時的な 熱力 阻力 と a は 機能 について パルス 幅 前へ 特徴 について ダイオード (典型的な)
Zth (j-c) = f (t) IF について= f (V)F について)
切り替える 損失 ダイオード (典型) 切り替え 損失 ダイオード (典型)
E についてレック= f (R)G) Eレック= f (I)F について)
私はF について= 450A,VCE= 600V RG= 1.8Ω,VCE= 600V
ダイオード 臨時的な 熱力 阻力 と a は 機能 について パルス幅
Zth (j-c) = f (t)
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
寸法 (mm)
mm
