製品詳細
モデル番号: SPS200B12G6H4
支払いと送料の条件
コレクター流れ: |
100A |
Collector-Emitterの飽和電圧: |
2.5V |
Collector-emitter電圧: |
±1200V |
現在の格付け: |
100A |
ゲート エミッターの漏出流れ: |
±10μA |
ゲート エミッターの境界の電圧: |
5V |
ゲート エミッターの電圧: |
±20V |
最大動作温度: |
150°C |
モジュールのタイプ: |
IGBT |
パッケージの種類: |
62mm |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
20KHZ |
熱耐性: |
0.1°C/W |
定位電圧: |
1200V |
コレクター流れ: |
100A |
Collector-Emitterの飽和電圧: |
2.5V |
Collector-emitter電圧: |
±1200V |
現在の格付け: |
100A |
ゲート エミッターの漏出流れ: |
±10μA |
ゲート エミッターの境界の電圧: |
5V |
ゲート エミッターの電圧: |
±20V |
最大動作温度: |
150°C |
モジュールのタイプ: |
IGBT |
パッケージの種類: |
62mm |
短絡の抵抗の時間: |
10μs |
切り替え周波数: |
20KHZ |
熱耐性: |
0.1°C/W |
定位電圧: |
1200V |
固体電源DS-SPS200B12G6H4-S04020005
1200V 200A IGBT 半分 橋 モジュール
特徴:
典型的な 申請:
|
IGBT インバーター / IGBT逆変器
最大 格付け値/ 最大額定値 |
|||||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|||
|
集電極-発射電極圧 コレクター・エミッター電圧 |
VCES |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
|
連続集電極直流電流 連続 DC コールコントロール |
私はC について |
TC について = 100°C,Tvj マックス= 175°C TC について = 25°C,Tvj マックス= 175°C |
200
280 |
A について A について |
|||
|
集電极重复峰値電流 頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流 |
私はCRM |
tp=1ms |
400 |
A について |
|||
|
総電力の損失 合計 パワー 消散するについて |
Pトゥ |
TC について=25°C,Tvj=175°C |
1070 |
W |
|||
|
極-発射極峰値電圧 最大キャット電子発射器の電圧 |
VGES |
±20 |
V |
||||
|
特徴 的 な 価値/ 特征値 |
|||||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプする マックス |
単位 |
|||
|
集電極-発射极 及び電圧 コレクター・エミッター・サターティ電圧で |
VCE(座った) |
私はC について=200A,V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.50 |
2.40 2.95 3.00 |
3.00 |
V V V |
|
極値電圧 ゲートスロージック電圧 |
VGE (第) |
私はC について=8mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C |
5.0 6.0 7.0 |
V |
|||
|
極電荷 ゲート 負荷 |
Q についてG |
V遺伝子組み換え=-15V... +15V |
0.8 |
μC |
|||
|
内部 極電阻 内門 レジスタンス |
Rゲント |
Tvj=25°C |
2.5 |
オー |
|||
|
输入電容量 インプット上限アシタンス |
C についてイー |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V |
8.76 |
nF |
|||
|
反向送電容量 バックトランスフェア容量 |
C についてres |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V |
0.40 |
nF |
|||
|
集電极-発射极截止電流 コレクター・エミッター 切断点 cローレンス |
私はCES |
VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C |
5.00 |
mA |
|||
|
極-発射極漏電流 ゲートエミッター 漏れ 流動 |
私はGES |
VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C |
200 |
nA |
|||
|
開通延延時間(電気負荷) オン 遅延時間 誘導性 負荷 |
td( について) |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
65 75
75 |
ns ns ns |
|||
|
上升時間(電気負荷) 立ち上がる時間だ 誘導性 負荷 |
tr |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
45 55
55 |
ns ns ns |
|||
|
关断延延時間(電気負荷) ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷 |
td(消して) |
私はC について=200A,VCE=600V V遺伝子組み換え=±15V Rゴン=3.3 Ω Rゴフ=3.3 Ω
誘導性 ローアド |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
205 230
235 |
ns ns ns |
||
|
下降時間(電気負荷) 秋の時間 誘導性 負荷 |
tf |
55 85
85 |
ns ns ns |
||||
|
開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲)) オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ |
E についてについて |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
16.7 26.4 28.2 |
mJ mJ mJ |
|||
|
断断耗エネルギー(脈動) 切断エネルギー 損失 1 年間 パルス |
E について消して |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
4.9 8.8 9.6 |
mJ mJ mJ |
|||
|
短路データ SC データ |
私はSC |
V遺伝子組み換え≤15V,VCC=800V VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=150°C |
800 |
A について |
|||
|
结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
平均 IGBT / "人"人 IGBT |
0.14 |
K/W |
|||
|
作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳 |
150 |
°C |
|||
|
ダイオード,インバーター/ 二极管,逆変器 最大 格付け値/ 最大額定值 |
|||||||
|
ポイント |
シンボルC条件 |
価値 |
単位 |
||||
|
反向重复峰電圧 頂点 繰り返す 逆電圧e |
VRRM Tvj=25°C |
1200 |
V |
||||
|
連続直流電流 連続 DC について病室電流 |
私はF について |
200 |
A について |
||||
|
正向重复峰值電流 頂点 繰り返しの前向き電流 |
私はFRM tp=1ms |
400 |
A について |
||||
|
特徴 的 な 価値/ 特征値 |
|||||||
|
ポイント |
シンボル条件 |
ミン タイプする |
マックス |
単位 |
|||
|
正向電圧 前向きの電圧 |
VF について 私はF について=200A |
Tvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°C |
1.50 |
1.80 1.80 1.80 |
2.40 |
V V V |
|
|
反向復峰值電流
頂点 逆向き 回復 cローレンス |
私はRM
Q についてr
E についてレック |
私はF について=200A -di/dt=3200A/μs VR = 600V
V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°CTvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°CTvj=25°C Tvj=125°CTvj=150°C |
140 140
140 |
A について A について A について |
||
|
反向回復電荷 回収料 |
14.5 22.528.0 |
μC μC μC |
|||||
|
反向復元損失 (每脈冲) バック 回復 エネルギー (毎週 パルス) |
4.5 8.7 9.9 |
mJ mJ mJ |
|||||
|
结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ ダイオードあたり 毎回个二极管 |
0.23 |
K/W |
||||
|
作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳 |
150 |
°C |
|||
|
モジュール/ 模块 |
||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|
绝缘試験電圧 孤立試験電圧 |
VISOL |
RMS,f=50Hz,t=1分 |
3.0 |
kV |
|
模块基板材料 材料 モジュール ベースプレート |
クー |
|||
|
内部絶缘 内部 隔離 |
基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140) 基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140) |
アール2オー3 |
||
|
爬電距離 クリープページタンス |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
29.0 23.0 |
mm |
|
|
電気間隙 免許 |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
23.0 11.0 |
mm |
|
|
相対電気痕指数 比較追跡 インデックス |
CTI |
>400 |
||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン |
タイプする |
マックス |
単位 |
|
杂散電感 模块 流れる 誘導力 モジュール |
L についてsCE |
20 |
nH |
|||
|
模块引脚電阻 端子-チップ
モジュール 鉛 抵抗力 ,ターミナルCヒップ |
RCC さん+EE RAA+CC さん |
0.7 |
mΩ |
|||
|
貯蔵温度
貯蔵時間パーチュア |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
||
|
模块安装の安装扭曲距離 マウントトールについて モジュール マウント |
M について |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
|
端子 接続扭距離 ターミナル接続n トーク |
M について |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
|
重量
体重 |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
出力特性 IGBT,インバーター (典型) 出力特性 IGBT,インバーター (典型)
私はC について=f (V)CE) IC について=f(VCE)
V遺伝子組み換え=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
転送特性 IGBT,インバーター (典型) 転送特性 IGBT,インバーター (典型)
IC=f (VGE) E=f (IC),Eoff=f (IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=3.3 Ω,RGoff=3.3 Ω,VCE=600V
IGBT IGBT
切り替え損失 IGBT,インバーター (典型) 臨時熱インペダンス IGBT,インバーター
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V,IC=200A,VCE=600V
IGBT
リバースバイアス安全な動作領域 IGBT,インバーター (RBSOA) ダイオード,インバーターの前向き特性 (典型)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V,RGoff=3.3 Ω,TVj=150°C
スイッチング損失 ディオード,インバーター (典型) スイッチング損失 ディオード,インバーター (典型)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RGon=3.3Ω,VCE=600V IF=200A,VCE=600V
FRD
臨時熱阻力 FRD インバーター
ZthJC=f (t)
"1200V 200A IGBT ハーフブリッジ モジュール"は,中程度の高電圧および電流レベルを制御する必要があるアプリケーションのためのハーフブリッジ構成で2つのIGBTを統合しています.効果 的 な 冷却 は 極めて 重要 です詳細な仕様については,製造者のデータシートで確認できます.
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
