製品詳細
モデル番号: SPS300MB12G6S
支払いと送料の条件
固体電源DS-SPS300MB12G6S-S04310004
1200V 300A SiC MOSFET 半分 橋 モジュール
特徴:
典型的な 申請:
|
MOSFET
最大 格付け値/ 最大額定値 |
|||||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|||
|
漏极-源极電圧 排水源電圧 |
VDSS |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
|
連続漏れ極直流電流 続きを読むs DC 流出電流 |
私はD |
VGS=20V,TC について=25°C,Tvjmax=175°C VGS=20V,TC について=85°C,Tvjmax=175°C |
400
300 |
A について |
|||
|
脈衝漏极電流 パルスドレイン 流動 |
私はD パルス |
パルス幅 tp限られた によるTvjmax |
1200 |
A について |
|||
|
総電力の損失 合計 パワー 消散するについて |
Pトゥ |
TC について=25°CTvjmax=175°C |
1153 |
W |
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|
極峰値電圧 最大ゲート- 源電圧 |
VGSS |
-10/25 |
V |
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|
性格基準値/ 特征値 |
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|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプする マックス |
単位 |
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|
漏极-源极通态電阻 排水源がオン 抵抗力 |
RDS( について) |
私はD=300A,VGS=20V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
4.0 5.4 6.0 |
5.6 |
mΩ mΩ mΩ |
|
|
極値電圧 ゲートスロージック電圧 |
VGS (th) |
私はC について=90mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C 私はC について=90mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=150°C |
1.9 |
2.4 1.6 |
4.0 |
V |
|
|
跨导
トランスコンダクトンス |
gfs |
VDS = 20 V, 私はDS = 300 A について Tvj=25°C VDS = 20 V, 私はDS = 300 A,Tvj=150°C |
211
186 |
S |
|||
|
極電荷 ゲート 負荷 |
Q についてG |
V遺伝子組み換え=-5V... +20V |
1170 |
nC |
|||
|
内部 極電阻 内門 レジスタンス |
Rゲント |
Tvj=25°C |
2.0 |
オー |
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|
输入電容量 インプット上限アシタンス |
C についてイー |
f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V,VAC=25mV,V遺伝子組み換え=0V |
25.2 |
nF |
|||
|
输出電容量 生産量 容量 |
C についてエース |
f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V,VAC=25mV,V遺伝子組み換え=0V |
1500 |
pF |
|||
|
反向送電容量 バックトランスフェア容量 |
C についてres |
f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V,VAC=25mV,V遺伝子組み換え=0V |
96 |
pF |
|||
|
零?? 電圧漏极電流 ゼロゲート vオルテージ 排水 流動 |
私はDSS |
VDS=1200V,VGS=0V,Tvj=25°C |
300 |
μA について |
|||
|
極-源极漏電流 ゲートソース ローアカゲ電流 |
私はGSS |
VDS=0V VGS=20V,Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
|
開通延延時間(電気負荷) オン 遅延時間 誘導性 負荷 |
td( について) |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
76 66
66 |
ns ns ns |
|||
|
上升時間(電気負荷) 立ち上がる時間だ 誘導性 負荷 |
tr |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
62 56
56 |
ns ns ns |
|||
|
关断延延時間(電気負荷) ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷 |
td(消して) |
私はD=300A,VDS=600V VGS=-5/20V Rゴン=2.5Ω |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
308 342
342 |
ns ns ns |
||
|
下降時間(電気負荷) 秋の時間 誘導性 負荷 |
tf |
Rゴフ=2.5Ω Lσ = 56 nH
誘導性 ローアd, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
94 92
92 |
ns ns ns |
||
|
開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲)) オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ |
E についてについて |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
5.55 4.35 4.35 |
mJ mJ |
|||
|
断断耗エネルギー(脈動) 切断エネルギー 損失 1 年間 パルス |
E について消して |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
12.10 12.35 12.35 |
mJ mJ |
|||
|
结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
平均 MOSFET / "人"人 MOSFET |
0.12 |
K/W |
||
|
作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳150 |
°C |
|||
|
ダイオード/二极管
最大 格付け値/ 最大額定值 |
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|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
||
|
連続直流電流 連続ダイオード病室 流動 |
私はF について |
VGS = -5V TC について = 25 ̊C |
400 |
A について |
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|
性格基準値/ 特征値 |
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|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプする マックス |
単位 |
||
|
正向電圧 前向きの電圧 |
VSD |
私はF について=300A,VGS=0V |
Tvj=25°C Tvj=150°C |
1.60 2.00 |
1.80 |
V V |
|
结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
ダイオードあたり/ 每個二極管 |
0.13 |
K/W |
||
|
作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳 150 |
°C |
|||
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モジュール/ 模块 |
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|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|
绝缘試験電圧 孤立試験電圧 |
VISOL |
RMS,f=50Hz,t=1分 |
2.5 |
kV |
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模块基板材料 材料 モジュール ベースプレート |
クー |
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内部絶缘 内部 隔離 |
基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140) 基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140) |
アール2オー3 |
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|
爬電距離 クリープページタンス |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
29.0 23.0 |
mm |
|
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電気間隙 免許 |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
23.0 11.0 |
mm |
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相対電気痕指数 比較追跡 インデックス |
CTI |
> 400 |
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ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン |
タイプする |
マックス |
単位 |
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杂散電感 模块 流れる 誘導力 モジュール |
L についてsCE |
20 |
nH |
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模块引線電阻,端子-チップ モジュール 鉛 抵抗,端末 - チップ |
RCC+EE |
TC について=25°C |
0.465 |
mΩ |
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貯蔵温度
貯蔵時間パーチュア |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
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模块安装の安装トークス マウントトールについて モジュール マウント |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
|
端子 接続 トークトーク ターミナル接続n トーク |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
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重量
体重 |
G |
300 |
g |
MOSFET モスフェット
出力特性 MOSFET (典型) 出力特性 MOSFET (典型)
IC=f (VCE) IC=f (VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C 温度を測定する
RD息子さん(P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS)
私はDS=120A VGS=20VVGS=20V
抵抗 (典型) のドランソース 限界電圧 (典型)
RD息子さん=f (t)vj) VDS (第)=f (t)vj)
私はDS=120A VDS=VGS私はDS=30mA
MOSFET
MOSFETの転送特性 (典型) ダイオードの転送特性 (典型)
私はDS=f(VGS)私はDS=f(VDS)
VDS=20V Tvj=25°C
ダイオードの前向き特性 (典型的な) 特性 3rd四半期 (典型)
私はDS=f(VDS) IDS=f(VDS)
Tvj=150°C Tvj=25°C
MOSFET
3 の特徴rdクアダント (典型) ゲート充電特性 MOSFET (典型)
私はDS=f(VDS) VGS=f ((QG)
Tvj=150°C VDS=800V,IDS=120A,Tvj=25°C
MOSFET モスフェット
容量特性 MOSFET (典型) 切り替え損失 MOSFET (典型)
C=f(VDS) E=f(IC について)
VGS=0V,Tvj=25°C,f=1MHz V遺伝子組み換え=-5/20V,RG=2.5 Ω,VCE=600V
MOSFET モスフェット
切り替え損失 MOSFET (典型) 臨時熱インパデンス MOSFET
E=f (RG) Zザイジ=f (t)
VGE=-5/20V,IC=120A,VCE=600V
臨時熱阻力ダイオード
ZthJC=f (t)
"1200V 300A SiC MOSFET ハーフブリッジモジュール"は,半ブリッジ構成で2つのシリコンカービッド金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ (SiC MOSFET) を統合している.高功率アプリケーション用に設計された圧 (1200V) と電流 (300A) を正確に制御し,工業環境での効率と性能の向上などの利点があります.効率 的 な 冷却 は,信頼 的 な 運用 に 不可欠 です詳細な仕様については,製造者のデータシートで確認できます.
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
