シャーシマウント Sic MOSFET パワーモジュール 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

MOSFET

最大 格付け値/ 最大額定値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

漏极-源极電圧

排水源電圧

VDSS

Tvj=25°C

1200

V

連続漏れ極直流電流

連続 DC 流出電流

ID

VGS=20V,TC について=25°C,Tvjmax=175°C

VGS=20V,TC について=85°C,Tvjmax=175°C

180

120

A について

脈衝漏极電流

パルスドレイン 流動

ID パルス

パルス幅 tp限られた によるTVJマックス

480

A について

総電力の損失

合計 パワー 消散

Ptot

TC=25°CTvjmax=175°C

576

W

極峰値電圧

ゲート・ソースの最大電圧

VGSS

-10/25

V

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

漏极-源极通态電阻

排水源がオン 抵抗力

RDS( について)

ID=120A,VGS=20V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

13.0

16.0 18.0

16.0

mΩ

mΩ

mΩ

極値電圧

ゲートスロージングル電圧

VGS (th)

IC=30mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C

IC=30mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=150°C

2.0

2.4

1.7

4.0

V

跨导

トランスコンダクトンス

gfs

VDS = 20 V, 私はDS = 120 A,Tvj=25°C

VDS = 20 V, 私はDS = 120 A,Tvj=150°C

68.9

61.8

S

極電荷

ゲート 負荷

司令部

VGE=-5V...+20V

474

nC

内部 極電阻

内門 レジスタンス

RGint

Tvj=25°C

2.2

オー

输入電容量

入力容量

シエス

f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V,VAC=25mV,VGE=0V

8850

pF

输出電容量

生産量 容量

コース

f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V,VAC=25mV,VGE=0V

564

pF

反向送電容量

リバース 転送容量

クレス

f=1MHz,Tvj=25°C,VDS=1000V,VAC=25mV,VGE=0V

66

pF

零?? 電圧漏极電流

ゼロゲート電圧 排水 流動

IDSS

VDS=1200V,VGS=0V,Tvj=25°C

300

μA について

極-源极漏電流

ゲートソース 流出電流

IGSS

VDS=0V VGS=20V,Tvj=25°C

100

nA

開通延延時間(電気負荷)

オン 遅延時間 誘導性 負荷

td( について)

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

10

8

8

ns

ns

ns

上升時間(電気負荷)

立ち上がる時間だ 誘導性 負荷

tr

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

36

34

34

ns

ns

ns

关断延延時間(電気負荷)

切断の遅延時間 誘導性 負荷

td(消して)

ID=120A,VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3.3Ω

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

128

140

140

ns

ns

ns

下降時間(電気負荷)

秋の時間 誘導性 負荷

tf

RGoff=3.3Ω

Lσ = 56 nH

誘導性 荷物

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

62

62

62

ns

ns

ns

開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲))

オン エネルギー 損失 1 年間 パルス

エオン

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

2.35

2.15

2.15

mJ

mJ

断断耗エネルギー(脈動)

切断エネルギー 損失 1 年間 パルス

エーオフ

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

1.65

1.80

1.80

mJ

mJ

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

RthJC

平均 MOSFET / "人"人 MOSFET

0.23

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

テレビジョップ

-40 150

°C

ダイオード/二极管

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

連続直流電流

連続ダイオード 流動

IF について

VGS = -5V TC について = 25 ̊C

177

A について

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

正向電圧

前向きの電圧

VSD

IF について=120A,VGS=0V

TVj=25°C Tvj=150°C

1.45

1.90

1.80

V

V

结-外 熱阻

熱力 抵抗力について ケース

RthJC

ダイオードあたり 每個二極管

0.30

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

テレビジョップ

-40歳 150

°C

モジュール/ 模块

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

绝缘試験電圧

隔離試験電圧

VISOL

RMS,f=50Hz,t=1分

2.5

kV

模块基板材料

材料 モジュール ベースプレート

クー

内部絶缘

内部 隔離

基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140)

基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140)

アル2O3

爬電距離

クリープ距離

端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク

端子-端子/ターミナルからターミナル

29.0

23.0

mm

電気間隙

免許

端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク

端子-端子/ターミナルからターミナル

23.0

11.0

mm

相対電気痕指数

比較追跡 インデックス

CTI

> 400

ポイント

シンボル

条件

ミン

タイプする

マックス

単位

杂散電感 模块

流れる 誘導力 モジュール

LsCE

20

nH

模块引線電阻,端子-チップ

モジュール 鉛 抵抗,端末 - チップ

RCC+EE

TC=25°C

0.465

mΩ

貯蔵温度

保存温度

Tstg

-40歳

125

°C

模块安装の安装トークス

マウントトルク モジュール マウント

M5

2.50

5.00

Nm

端子 接続 トークトーク

ターミナル接続トーク

M6

3.00

5.00

Nm

重量

体重

G

300

g