75A 1200V IGBT半ブリッジモジュール 固体電源DS-SPS150B17G3-S04010005

IGBT インバーター

最大 格付け値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

集電極-発射電極圧

コレクター・エミッター 電圧

VCES

Tvj=25°C

1700

V

連続集電極直流電流

連続 DC コレクター電流

IC

150

A について

集電极重复峰値電流

頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流

ICRM

tp=1ms

300

A について

総電力の損失

合計 パワー 消散

Ptot

TC=25°C,Tvj=175°C

880

W

極-発射極峰値電圧

ゲート・エミッター最大電圧

VGES

±20

V

最高结温

最大交差点温度

TVJ マックス

175

°C

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミニタイプ マックス

単位

集電極-発射极 及び電圧

コレクター・エミッター 飽和電圧

VCE(座った)

IC=150A,VGE=15V

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

1.67

1.90 1.96

1.90

V

V

V

極値電圧

ゲートスロージングル電圧

VGE (th)

IC=17mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C

5.0 6.0 6.8

V

極電荷

ゲート 負荷

司令部

VGE=-15V...+15V

0.86

uC

内部 極電阻

内門 レジスタンス

RGint

Tvj=25°C

7.2

オー

输入電容量

入力容量

シエス

f=1MHz, Tvj=25°C,VCE=25V,VGE=0V

12.6

nF

反向送電容量

リバース 転送容量

クレス

f=1MHz, Tvj=25°C,VCE=10V,VGE=0V

0.20

nF

集電极-発射极截止電流

コレクター・エミッター 切断電流

ICES

VCE=1700V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C

3.00

mA

極-発射極漏電流

ゲートエミッター 漏れ 流動

IGES

VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C

400

nA

開通延延時間(電気負荷)

オン 遅延時間 誘導性 負荷

td(について)

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

326

339

345

ns

ns

ns

上升時間(電気負荷)

立ち上がる時間だ 誘導性 負荷

tr

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

106

118

126

ns

ns

ns

关断延延時間(電気負荷)

切断の遅延時間 誘導性 負荷

td(消して)

IC=150A,VCE=900V

VGE=±15V

RGon=5Ω

RGoff=5Ω

誘導性 荷物

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C

Tvj=150°C

165

189

213

ns

ns

ns

下降時間(電気負荷)

秋の時間 誘導性 負荷

tf

757

924

950

ns

ns

ns

開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲))

オン エネルギー 損失 1 年間 パルス

エオン

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

47.1

58.9

63.7

mJ

mJ

断断耗エネルギー(脈動)

切断エネルギー 損失 1 年間 パルス

エーオフ

TVj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

31.2

39.9

42.5

mJ

mJ

短路データ

SC データ

ISC

VGE≤15V,VCC=1000V

VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=150°C

600

A について

结-外 熱阻

熱力 抵抗 j授与する ケース

Rザイジ

平均 IGBT / "人"人IGBT

0.17

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40 150

°C

ダイオード,インバーター/ 二极管,逆変器

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

反向重复峰電圧

頂点 繰り返す 逆電圧e

VRRM

Tvj=25°C

1700

V

連続直流電流

連続 DC について病室電流

私はF について

150

A について

正向重复峰值電流

頂点 繰り返しの前向き電流

私はFRM

tp=1ms

300

A について

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプする マックス

単位

正向電圧

前向きの電圧

VF について

私はF について=150A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1.92

2.112.09

2.30

V

V

V

反向復峰值電流

頂点 逆向き 回復 cローレンス

私はRM

私はF について=150A

- ディF について/dt について消して=2000A/μs

VR =900V

V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C98

Tvj=125°C 119

Tvj=150°C 119

A について

A について

A について

回復電荷

回収料

Q についてr

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

21.4

36.7

42.0

uC

uC

uC

反向復元損失 (每脈冲)

バック 回復 エネルギー (毎週 p潰瘍)

E についてレック

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

10.6

19.5

21.9

mJ

mJ

mJ

结-外 熱阻

熱力 抵抗 j授与する ケース

Rザイジ

ダイオードあたり/ 每個二極管

0.30

K/W

作業温度

温度 そしてer 切り替え 条件

Tvjop

-40歳 150

°C

モジュール/ 模块

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

绝缘試験電圧

孤立試験電圧

VISOL

RMS,f=50Hz,t=1min

4.0

kV

模块基板材料

材料 モジュール ベースプレート

クー

内部絶缘

内部 隔離

基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140)

基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140)

アール2オー3

爬電距離

クリー族 ページ距離

端子-散热片/ ターミナルへ hシンクを食べる

端子-端子/ターミナルへミナール

17.0

20.0

mm

電気間隙

免許

端子-散热片/ ターミナルへ hシンクを食べる

端子-端子/ターミナルへミナール

17.0

9.5

mm

相対電気痕指数

比較追跡 インデックス

CTI

> 200

ポイント

シンボル

条件

ミン

タイプする

マックス

単位

杂散電感 模块

流れる 誘導力 モジュール

L についてsCE

30

nH

模块引脚電阻,端子-チップ

モジュール 鉛 抵抗力 ,ターミナルCヒップ

RCC さん+EE

RAA+CC

0.65

mΩ

貯蔵温度

貯蔵時間パーチュア

Tstg

-40歳

125

°C

模块安装の安装扭曲距離

マウントトルクについて モジュール マウント

M について

M6

3.00

5.00

Nm

模块安装の安装扭曲距離

マウントトルクについて モジュール マウント

M について

M5

2.50

5.00

Nm

重量

体重

G

160

g