DS-SPS200AR12G3-S04010010 ブレーキ IGBT ヘリコプター モジュール 1200V 200A

IGBT/ IGBT

最大 格付け値/ 最大額定値

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

集電極-発射電極圧

コレクターエミッター電圧

VCES

Tvj=25°C

1200

V

連続集電極直流電流

連続 DC コレクター 流動

私はC について

200

A について

集電极重复峰値電流

頂点 繰り返すコレクター 流動

私はCRM

tp=1ms

400

A について

総電力の損失

合計 パワー ディス変容

Pトゥ

TC について=25°C,Tvj=175°C

830

W

極-発射極峰値電圧

ゲート・エミッター最大電圧

VGES

±20

V

最高结温

最大 j油塗り温度

Tvj,マックス

175

°C

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプマx は

単位

集電極-発射极 及び電圧

コレクターから放出されるer 飽和電圧

VCE(座った)

私はC について=200AV遺伝子組み換え=15V Tvj=25°C

1.80 2.25

V

極値電圧

ゲートスロージングル電圧

VGE (第)

私はC について=6です7mA,VCE=V遺伝子組み換え, Tvj=25°C

5.0 5.8 6.8

V

極電荷

ゲート 負荷

Q についてG

V遺伝子組み換え=-15V...+15V,Tvj=25°C

1.27

uC

内部 極電阻

内門 レシストール

Rゲント

Tvj=25°C

6.5

オー

输入電容量

入力容量

C についてイー

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

19.5

nF

反向送電容量

リバース 転送容量

C についてres

f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V

0.46

nF

集電极-発射极截止電流

コレクター発射ter 切断電流

私はCES

VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C について

1.00

mA

極-発射極漏電流

ゲートエミッター 流出電流

私はGES

VCE=0V,V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C について

500

nA

短路データ

SC データ

私はSC

V遺伝子組み換え ≤±15V,tp ≤10 ドルCC=600V,Tvj= 150°CVCE, マックス=VCES-L についてs.CE x di/dt

600

A について

结-外 熱阻

熱力 抵抗力ケースへの接点

Rザイジ

平均 IGBT / "人"人 IGBT

0.18

K/W

作業温度

温度 下 切り替える 条件オンズ

Tvjop

-40歳150

°C

逆向き ダイオード/ 逆二极管

最大 格付け値/ 最大額定值

ポイント

シンボル

条件

価値

単位

反向重复峰電圧

頂点 繰り返す 逆のボ日数

VRRM

Tvj=25°C

1200

V

連続直流電流

連続 DC 前へ 流動

私はF について

75

A について

正向重复峰值電流

頂点 繰り返しの前向き電流

私はFRM

tp= 1ms

150

A について

特徴 的 な 価値/ 特征値

ポイント

シンボル

条件

ミン タイプ マックス

単位

正向電圧

前向きの電圧e

VF について

私はF について=70A

Tvj=25°C

Tvj=150°C

1.90

1.90

2.20

V

反向復峰值電流

頂点 逆向き 回復するエリー 流動

私はrm

私はF について=70A

Tvj=25°C

Tvj=150°C

45

60

A について

反向回復電荷

バック 回復するロー 負荷

Q についてrr

- ディF について/dt について消して=1200A/μs

VR = 600V

Tvj=25°C

Tvj=150°C

4

8

μC

反向復元損失 (每脈冲)

バック 復元エネルギー (pe)r パルス)

E についてレック

V遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C

Tvj=150°C

1.2

2.5

mJ

结-外 熱阻

熱力 抵抗力ケースへの接点

Rザイジ

ダイオードあたり 每個二極管

0.6

K/W

作業温度

温度 下 切り替える 条件オンズ

Tvjop

-40歳 150

°C

モジュール/ 模块

ポイント

シンボル

条件

価値

ユニット

s

绝缘試験電圧

隔離試験電圧

VISOL

RMS,f=50Hz,t=1分

2.5

kV

模块基板材料

材料 について モジュール ベースプレート

クー

内部絶缘

内部 孤立アクション

基本绝缘(クラス) 1, IEC 61140)

基本 隔熱 (クラス) 1, IEC61140)

アール2オー3

爬電距離

クリー族 ページ距離

端子-散热片/ターミナル ヒートシンク

端子-端子/ターミナターミナルへ

17

20

mm

電気間隙

免許

端子-散热片/ターミナル ヒートシンク

端子-端子/ターミナターミナルへ

17

9.5

mm

相対電気痕指数

比較追跡 インデックス

CTI

> 200

ポイント

シンボル

条件

ミン

タイプする

マックス

単位

杂散電感 模块

流れる誘導力 モジュール

L についてsCE

30

nH

模块引脚電阻,端子-チップ

モジュール 鉛 抵抗力e ,端末チップ

RCC ほら+EE

RAAほら+CC

0.65

mΩ

貯蔵温度

保存温度

Tstg

-40歳

125

°C

模块安装の安装扭曲距離

マウントトルク モジュール マウントn

M について

M6

3.00

5.00

Nm

模块安装の安装扭曲距離

マウントトルク モジュール マウントn

M について

M5

2.50

5.00

Nm

重量

体重

G

155

g