固体パワーDS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V10.

1200V 150A IGBT 半分 橋 モジュール

1200V 150A IGBT 

特徴:

□ 1200V トレンチ+フィールドストップ技術

□ フリーホイール ダイオード 速くて柔らかい リバース 回復

□ V_{CE (sat)}陽性温度係数を持つ

□ 切り替え 損失 が 少なく

典型的な 応用: 

□ モーター/サーボ ドライブ

□ 高 電力 変換 器

□ UPS

□ 光電池

パッケージ 

IGBT

最大 格付け 価値観 

特徴 価値観 

ダイオード 

最大 格付け 価値観 

特徴 価値観 

生産量 特徴 (典型) 出力 特徴 (典型)

私は_{C について}= f (V)_CE) I_{C について}= f (V)_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                     IGBT

移転 特徴 (典型) 切り替える 損失 IGBT(典型的な)

私は_{C について}= f (V)_{遺伝子組み換え}) E = f (R_G)

V_CE= 20VV_{遺伝子組み換え}= ±15V,I_{C について}= 150A,V_CE= 600V

IGBT                                                                                                               RBSOA

切り替える 損失 IGBT(典型的な) 逆向き 偏見 安全 動作する 面積 (RBSOA)

E = f (I)_{C について}) I_{C について}=f (V)_CE)

V_{遺伝子組み換え}= ±15V,R_G= 3.3Ω, V_CE= 600VV_{遺伝子組み換え}= ±15V,R_ゴフ= 5.1Ω,T_vj= 150°C

典型的な 容量 と a は 機能 について コレクター・エミッター 電圧 ゲート充電 (典型)

C = f (V)_CE) V_{遺伝子組み換え}= f (Q)_G)

f = 100 kHz,V_{遺伝子組み換え}= 0V I_{C について}= 150A,V_CE= 600V

IGBT フォワード 特徴 について ダイオード (典型的な)

IGBT 臨時的な 熱力 阻力 と a は 機能 パルス 幅私は_{F について}= f (V)_{F について})     

切り替え損失 ダイオード (典型) 切り替え損失 ダイオード (典型)

E について_レック= f (R)_G) E_レック= f (I)_{F について})

私は_{F について}= 150A,V_CE= 600V R_G= 3.3Ω,V_CE= 600V

ダイオード 臨時的な 熱力 阻力 と a は 機能 について パルス 幅

Zth (j-c) = f (t)

"1200V 150A IGBT ハーフブリッジ モジュール"は,ハーフブリッジの構成で2つのIGBTを統合しています.それは中等から高電力を必要とするアプリケーションに適しています.電圧 (1200V) と電流 (150A) を正確に制御する効率的な冷却は,信頼性の高い動作に不可欠であり,詳細な仕様は,製造者のデータシートで見つけることができます.