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OEM 1200V 100A Hブリッジモスフェットモジュール DS-SPS100B12G3H6-S04010019

製品詳細

モデル番号: SPS100B12G3H6

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ハイライト:

100A H ブリッジ モスフェット モジュール

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OEM H ブリッジ モスフェット モジュール

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100A モスフェットモジュール

OEM 1200V 100A Hブリッジモスフェットモジュール DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

固体電源DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

1200V 100A IGBT 半分 モジュール

 

1200V 100A IGBT 

 

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特徴:

 

□ 1200V トレンチ+フィールドストップ技術

□ フリーホイール ダイオード 速くて柔らかい リバース 回復

□ VCE (sat)陽性温度係数を持つ

□ 切り替え 損失 が 少なく

 

 

 

典型的な応用: 

 

□ 溶接

 

 

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"1200V 100A IGBT"は,中~高電圧および電流レベルを制御するアプリケーションのために設計された隔離ゲート双極トランジスタです.一般的に,モータードライブやインバーターなどの高電力システムで使用される生産者のデータシートで詳細な仕様を見ることができます.

 

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生産量 特徴 (典型) 出力 特徴 (典型)

私はC について= f (V)CE) IC について= f (V)CE) Tvj= 150°C

 

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                                                                                                                   IGBT

移転 特徴 (典型) 切り替える 損失 IGBT(典型的な)

私はC について= f (V)遺伝子組み換え) E = f (RG)

VCE= 20VV遺伝子組み換え= ±15V,IC について= 30A,VCE= 600V

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IGBT RBSOA

 切り替える 損失 IGBT(典型的な) 逆向き 偏見 安全 動作する 面積 (RBSOA)

E = f (I)C について) IC について=f (V)CE)

V遺伝子組み換え= ±15V,RG= 10Ω, VCE= 600VV遺伝子組み換え= ±15V,Rゴフ= 10Ω,Tvj= 150°C

 

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典型的な 容量 a は 機能 について コレクター・エミッター 電圧 ゲート 負荷(典型的な)

C = f (V)CE) V遺伝子組み換え= f (Q)G)

f = 100 kHz,V遺伝子組み換え= 0V IC について= 100A,VCE= 600V

 

 

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IGBT

IGBT 臨時的な 熱力 阻力 a は 機能 について パルス 幅 前へ 特徴 について ダイオード (典型的な)

Zth (j-c) = f (t) IF について= f (V)F について)

 

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   切り替える 損失 ダイオード (典型) 切り替え 損失 ダイオード (典型)

E についてレック= f (R)G) Eレック= f (I)F について)

私はF について= 30A,VCE= 600V RG= 10Ω,VCE= 600V

                                                                

 

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ダイオード 臨時的な 熱力 阻力 a は 機能 について パルス

Zth (j-c) = f (t)

 

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"1200V 100A IGBT ハーフブリッジ モジュール"は,中程度の電力レベルを必要とするアプリケーションに適したハーフブリッジ構成で2つのIGBTを統合しています.精密な電圧 (1200V) と電流 (100A) の制御を提供します詳細な仕様については,製造者のデータシートで確認できます.

 

サーキット タイトル 

 

 

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パッケージ 概要 

 

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寸法 (mm)

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