製品詳細
モデル番号: SPS75B17G3
支払いと送料の条件
固体パワーDS-SPS75B17G3-S04010014 V10.
1700V 75A IGBT 半分 橋 モジュール
特徴:
典型的な 申請:
IGBT,インバーター / IGBT,逆変器
最大額定値 / 最大額定値
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ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
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集電極-発射電極圧 コレクター発行r電圧 |
VCES |
Tvj=25°C |
1700 |
V |
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連続集電極直流電流 連続 DC コールコントロール |
私はC について ノーム |
75 |
A について |
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集電极重复峰値電流 頂点 繰り返すバイオスフィア コレクター電流 |
私はCRM |
tp=1ms |
150 |
A について |
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総電力の損失 合計 パワー 消散するについて |
Pトゥ |
TC について=25°CTvjmax=175°C |
535 |
W |
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極-発射極峰値電圧 最大キャット電子発射器の電圧 |
VGES |
±20 |
V |
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最高结温 最大交差点n 温度 |
Tvjmax |
175 |
°C |
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性格基準値/ 特征値 |
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ポイント |
シンボル |
条件 |
ミニタイプ マックス |
単位 |
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集電極-発射极 及び電圧 コレクター・エミッター sアチュレーション電圧 |
VCE(座った) |
私はC について=75V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
2.24 2.51 2.56 |
2.60 |
V V V |
|
極値電圧 ゲートスロージック電圧 |
VGE (第) |
私はC について=3mA,VCE=V遺伝子組み換えTvj=25°C |
4.5 5.9 6.5 |
V |
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極電荷 ゲート 負荷 |
Q についてG |
V遺伝子組み換え=-15V... +15V |
0.47 |
uC |
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内部 極電阻 内門 レジスタンス |
Rゲント |
Tvj=25°C |
10.8 |
オー |
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输入電容量 インプット上限アシタンス |
C についてイー |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V |
5.03 |
nF |
||
|
反向送電容量 バックトランスフェア容量 |
C についてres |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=10V,V遺伝子組み換え=0V |
0.18 |
nF |
||
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集電极-発射极截止電流 コレクター・エミッター カット-off 電流 |
私はCES |
VCE=1700V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C |
3.00 |
mA |
||
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極-発射極漏電流 ゲートエミッター 漏れ 流動 |
私はGES |
VCE=0V V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C |
400 |
nA |
||
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開通延延時間(電気負荷) オン 遅延時間 誘導性 負荷 |
td(について) |
私はC について=75A,VCE=900V V遺伝子組み換え=±15V Rゴン=6.6Ω Rゴフ=6.6Ω
誘導性 ローアd, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
174 184
188 |
ns ns ns |
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上升時間(電気負荷) 立ち上がる時間だ 誘導性 負荷 |
tr |
80 83
81 |
ns ns ns |
|||
|
关断延延時間(電気負荷) ターンオフ dエレー時間 誘導性 負荷 |
td(消して) |
319 380
401 |
ns ns ns |
|||
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下降時間(電気負荷) 秋の時間 誘導性 負荷 |
tf |
310 562
596 |
ns ns ns |
|||
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開通損耗エネルギー(每脈冲 (毎脈冲)) オン エネルギー 損失 1 年間 プイーゼ |
E についてについて |
24.7 27.6 28.4 |
mJ mJ |
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断断耗エネルギー(脈動) 切断エネルギー 損失 1 年間 パルス |
E について消して |
10.9 16.1 17.5 |
mJ mJ |
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短路データ SC データ |
私はSC |
V遺伝子組み換え≤15V,VCC=1000V VCEmax=VCES- わかったsCE■di/dt,tp=10μs,Tvj=150°C |
240 |
A について |
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结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
平均 IGBT / "人"人IGBT |
0.28 K/W |
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作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳 150 °C |
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ダイオード,インバーター/ 二极管,逆変器 最大 格付け値/ 最大額定值 |
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ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 単位 |
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反向重复峰電圧 頂点 繰り返す 逆電圧e |
VRRM |
Tvj=25°C |
1700 V |
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連続直流電流 連続 DC について病室電流 |
私はF について |
75 A について |
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正向重复峰值電流 頂点 繰り返しの前向き電流 |
私はFRM |
tp=1ms |
150A |
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性格基準値/ 特征値 |
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ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプ マックス 単位 |
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正向電圧 前向きの電圧 |
VF について |
私はF について=75A |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
1.59 1.72 1.71 |
2.25 |
V V V |
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反向復峰值電流
頂点 逆向き 回復 cローレンス |
私はRM |
私はF について=75A - ディF について/dt について消して=1100A/μs VR =900V
V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
85 101
108 |
A について A について A について |
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回復電荷 回収料 |
Q についてr |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
23.5 32.9 36.2 |
uC uC uC |
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反向復元損失 (每脈冲) バック 回復 エネルギー (毎週 パルス) |
E についてレック |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
11.8 17.8 19.6 |
mJ mJ mJ |
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结-外 熱阻 熱力 抵抗力について ケース |
Rザイジ |
ダイオードあたり/ 每個二極管 |
0.48 K/W |
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作業温度 温度 そしてer 切り替え 条件 |
Tvjop |
-40歳 150 °C |
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モジュール / 模块
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ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット s |
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绝缘試験電圧 孤立試験電圧 |
VISOL |
RMS,f=50Hz,t=1分 |
4.0 |
kV |
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模块基板材料 材料 モジュール ベースプレート |
クー |
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内部絶缘 内部 隔離 |
基本绝缘(クラス) 1, 私はEC 61140) 基本 隔熱 (クラス) 1, IEC 61140) |
アール2オー3 |
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爬電距離 クリープページタンス |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
17
20 |
mm |
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電気間隙 免許 |
端子-散热片/ターミナルto ヒートシンク 端子-端子/ターミナルへミナール |
17 9.5 |
mm |
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相対電気痕指数 比較追跡 インデックス |
CTI |
>200 |
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ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン |
タイプする |
マックス |
単位 |
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杂散電感 模块 流れる 誘導力 モジュール |
L についてsCE |
30 |
nH |
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模块引脚電阻 端子-チップ
モジュール 鉛 抵抗力 ,ターミナルCヒップ |
RCC+EE RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
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貯蔵温度
貯蔵時間パーチュア |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
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模块安装の安装扭曲距離 マウントトールについて モジュール マウント |
M について |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
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端子 接続扭距離 ターミナル接続n トーク |
M について |
M5 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
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重量
体重 |
G |
160 |
g |
IGBT IGBT
出力特性 IGBT,インバーター (典型) 出力特性 IGBT,インバーター (典型)
IC=f (VCE) IC=f (VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
IGBT,インバーター (典型) 切換損失 IGBT,インバーター (典型)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V,RG=6.6Ω,VCE=900V
IGBT IGBT
切り替え損失 IGBT,インバーター (典型) 切り替え損失 IGBT,インバーター (典型)
E=f (RG) E=f ((IC)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=900V VGE=±15V,RG=6.6Ω,VCE=900V
IGBT IGBT
切り替え損失 IGBT,インバーター (典型) 臨時熱インペダンス IGBT,インバーター
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=900V
IGBT,RBSOA
リバースバイアス安全な動作領域 IGBT,インバーター (RBSOA) ダイオード,インバーターの前向き特性 (典型)
私はC について=f(VCE)私はF について=f(VF)
V遺伝子組み換え=±15V,Rゴフ=6.6Ω, Tvj=150°C
スイッチング損失 ディオード,インバーター (典型) スイッチング損失 ディオード,インバーター (典型)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=6.6 Ω,VCE=900V IF=75A,VCE=900V
臨時熱阻力ダイオード,インバーター
ZthJC=f (t)
"1700V IGBT"は,最大電圧1700ボルトを処理できる絶縁ゲート双極トランジスタである.より高い電圧レベルを管理する必要があるアプリケーションで使用される.高功率インバーターなど適正な冷却とゲート駆動回路は最適な性能のために不可欠である.詳細な仕様は,製造者のデータシートで見つけることができます.
サーキット 図 タイトル
パッケージ 概要
