製品詳細
モデル番号: SPS200AL12G3
支払いと送料の条件
現在-コレクター（（最高） IC）: |
100A |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
1mA |
ゲート充満: |
90nC |
ゲート・ソースの電圧 (Vgs) (最大): |
20V |
ゲート・ソースの電圧 (Vgs) (分): |
-20V |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
1.5nF @ 25V |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C |
パッケージの種類: |
モジュール |
パワー - マックス: |
400W |
逆回復時間 (trr): |
150nm |
転換エネルギー: |
2.5mJ (オン),2.5mJ (オフ) |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
600V |
現在-コレクター（（最高） IC）: |
100A |
現在-コレクターの締切り（最高）: |
1mA |
ゲート充満: |
90nC |
ゲート・ソースの電圧 (Vgs) (最大): |
20V |
ゲート・ソースの電圧 (Vgs) (分): |
-20V |
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce: |
1.5nF @ 25V |
マウントタイプ: |
シャーシマウント |
動作温度: |
-40°C ~ 150°C |
パッケージの種類: |
モジュール |
パワー - マックス: |
400W |
逆回復時間 (trr): |
150nm |
転換エネルギー: |
2.5mJ (オン),2.5mJ (オフ) |
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）: |
600V |
固体パワーDS-SPS200AL12G3-S04010009 V-10
特徴:
典型的な 申請:
|
IGBT/ IGBT
最大 格付け値/ 最大額定値 |
||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|
集電極-発射電極圧
コレクターエミッター電圧 |
VCES |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
連続集電極直流電流
連続 DC コレクター 流動 |
私はC について |
200 |
A について |
|
|
集電极重复峰値電流
頂点 繰り返すコレクター 流動 |
私はCRM |
tp=1ms |
400 |
A について |
|
総電力の損失
合計 パワー ディス変容 |
Pトゥ |
TC について=25°C,Tvj=175°C |
830 |
W |
|
極-発射極峰値電圧
ゲート・エミッター最大電圧 |
VGES |
±20 |
V |
|
|
最高结温
最大 j油塗り温度 |
Tvj,マックス |
175 |
°C |
|
|
特徴 的 な 価値/ 特征値 |
||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプマx は |
単位 |
|
集電極-発射极 及び電圧
コレクターから放出されるer 飽和電圧 |
VCE(座った) |
私はC について=200AV遺伝子組み換え=15V Tvj=25°C |
1.80 2.25 |
V |
|
極値電圧
ゲートスロージングル電圧 |
VGE (第) |
私はC について=6です7mA,VCE=V遺伝子組み換え, Tvj=25°C |
5.0 5.8 6.8 |
V |
|
極電荷 ゲート 負荷 |
Q についてG |
V遺伝子組み換え=-15V...+15V,Tvj=25°C |
1.27 |
uC |
|
内部 極電阻
内門 レシストール |
Rゲント |
Tvj=25°C |
6.5 |
オー |
|
输入電容量
入力容量 |
C についてイー |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V |
19.5 |
nF |
|
反向送電容量
リバース 転送容量 |
C についてres |
f=1MHz,Tvj=25°C,VCE=25V,V遺伝子組み換え=0V |
0.46 |
nF |
|
集電极-発射极截止電流
コレクター発射ter 切断電流 |
私はCES |
VCE=1200V,V遺伝子組み換え=0V,Tvj=25°C について |
1.00 |
mA |
|
極-発射極漏電流
ゲートエミッター 流出電流 |
私はGES |
VCE=0V,V遺伝子組み換え=20V,Tvj=25°C について |
500 |
nA |
|
短路データ SC データ |
私はSC |
V遺伝子組み換え ≤±15V,tp ≤10 ドルCC=600V,Tvj= 150°CVCE, マックス=VCES-L についてs.CE x di/dt |
600 |
A について |
|
结-外 熱阻
熱力 抵抗力ケースへの接点 |
Rザイジ |
平均 IGBT / "人"人 IGBT |
0.18 |
K/W |
|
作業温度
温度 下 切り替える 条件オンズ |
Tvjop |
-40歳150 |
°C |
|
|
逆向き ダイオード/ 逆二极管
最大 格付け値/ 最大額定值 |
|||||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|||
|
反向重复峰電圧
頂点 繰り返す 逆のボ日数 |
VRRM |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
|
連続直流電流
連続 DC 前へ 流動 |
私はF について |
75 |
A について |
||||
|
正向重复峰值電流
頂点 繰り返しの前向き電流 |
私はFRM |
tp= 1ms |
150 |
A について |
|||
|
特徴 的 な 価値/ 特征値 |
|||||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプ マックス |
単位 |
|||
|
正向電圧
前向きの電圧e |
VF について |
私はF について=70A |
Tvj=25°C Tvj=150°C |
1.90 1.90 |
2.20 |
V |
|
|
反向復峰值電流
頂点 逆向き 回復するエリー 流動 |
私はrm |
私はF について=70A |
Tvj=25°C Tvj=150°C |
45
60 |
A について |
||
|
反向回復電荷
バック 回復するロー 負荷 |
Q についてrr |
- ディF について/dt について消して=1200A/μs VR = 600V |
Tvj=25°C Tvj=150°C |
4
8 |
μC |
||
|
反向復元損失 (每脈冲)
バック 復元エネルギー (pe)r パルス) |
E についてレック |
V遺伝子組み換え=15V |
Tvj=25°C Tvj=150°C |
1.2 2.5 |
mJ |
||
|
结-外 熱阻
熱力 抵抗力ケースへの接点 |
Rザイジ |
ダイオードあたり 每個二極管 |
0.6 |
K/W |
|||
|
作業温度
温度 下 切り替える 条件オンズ |
Tvjop |
-40歳 150 |
°C |
||||
フリーホイリングダイオード / 续流二极管
最大額定値
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
単位 |
|
反向重复峰電圧
頂点 繰り返す 逆のボ日数 |
VRRM |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|
連続直流電流
連続 DC 前へ 流動 |
私はF について |
200 |
A について |
|
|
正向重复峰值電流
頂点 繰り返しの前向き電流 |
私はFRM |
tp= 1ms |
400 |
A について |
|
特徴 的 な 価値/ 特征値 |
||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン タイプ マックス |
単位 |
|
正向電圧
前向きの電圧e |
VF について |
私はF について=150A について Tvj=25°C |
2.0 |
V |
|
结-外 熱阻
熱力 抵抗力ケースへの接点 |
Rザイジ |
ダイオードあたり 每個二極管 |
0.29 |
K/W |
|
作業温度
温度 下 切り替える 条件オンズ |
Tvjop |
-40歳 150 |
°C |
|
モジュール/ 模块 |
||||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット s |
|
绝缘試験電圧
隔離試験電圧 |
VISOL |
RMS,f=50Hz,t=1分 |
2.5 |
kV |
|
模块基板材料
材料 について モジュール ベースプレート |
クー |
|||
|
内部絶缘
内部 孤立アクション |
基本绝缘(クラス) 1, IEC 61140)
基本 隔熱 (クラス) 1, IEC61140) |
アール2オー3 |
||
|
爬電距離
クリー族 ページ距離 |
端子-散热片/ターミナル ヒートシンク 端子-端子/ターミナターミナルへ |
17
20 |
mm |
|
|
電気間隙 免許 |
端子-散热片/ターミナル ヒートシンク 端子-端子/ターミナターミナルへ |
17 9.5 |
mm |
|
|
相対電気痕指数
比較追跡 インデックス |
CTI |
> 200 |
||
|
ポイント |
シンボル |
条件 |
ミン |
タイプする |
マックス |
単位 |
|
杂散電感 模块
流れる誘導力 モジュール |
L についてsCE |
30 |
nH |
|||
|
模块引脚電阻,端子-チップ
モジュール 鉛 抵抗力e ,端末チップ |
RCC ほら+EE RAAほら+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
|
貯蔵温度
保存温度 |
Tstg |
-40歳 |
125 |
°C |
||
|
模块安装の安装扭曲距離
マウントトルク モジュール マウントn |
M について |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
|
模块安装の安装扭曲距離
マウントトルク モジュール マウントn |
M について |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
|
重量 体重 |
G |
155 |
g |
1200V,200A IGBT ブレーキヘリコプターモジュールを言及しました. このタイプのモジュールは,特にモータードライブ,インバーター,ブレーキシステムで,電源電子機器で一般的に使用されています.このモジュールの主要な特徴は,その最大電圧と電流容量このモジュールを使用する際には,製造者の技術仕様と使用推奨事項の遵守を保証する.
サーキット 図 タイトル/ 接线图 接线图 接线图 接线图 接线图 接线图 接线图 接线图
パッケージ 概要
